晶振 负阻抗(晶振可以并联吗)
本文目录
晶振，参数
晶体谐振器常用的参数
CI或RR代表等效阻抗
C0：静电容
C1：动态电容
DLD：激励功率特性，不代表任何值
DLD2：一系列的功率下等效阻抗的最大值和最小值的差
FDLD：一系列的功率下频率的最大值和最小值的差
RLD2：一系列的功率下等效阻抗的最大值
游戏耳机的阻抗高好
前面几位说的已经很不错了，沃再来补充几点吧：首先是
关于高阻耳机存在的必要性
，众所周知，动圈耳机的内部结构就是一个线圈在静磁场中运动。由于线圈的存在，整个耳机除了线性电阻阻抗之外，还有感抗和容抗，他们的存在导致了耳机对于不同频率的信号的阻抗体现和响应都不同，这就对音源提出了比较高的要求。低阻抗耳机的驱动电流比较大，一方面大电流会引起较大的感抗变化，增加了高频失真，另一方面大电流对于音源输出的输出阻抗也提出了更大要求。而高阻耳机就比较好的解决了上述问题，一来驱动电流小，减少音源内部损耗，二来对于不同的频响和阻抗情况高阻耳机变化不会十分显著，而且高阻耳机还有一个意外的好处：因为阻抗高，内部线圈会比较细，整个线圈就比较轻，这导致振膜惯性减少，使耳机瞬态响应和最高频响表现都变得更佳，像HD650，HD800和T1这一类旗舰hifi头戴式耳机甚至采用了铝质线圈代替了铜线圈来进一步降低线圈质量并提高阻抗所以在非随身hifi领域，基本都是高阻的天下了
，即使不是上百欧姆，也会有六七十，七八十欧姆，远远高于便携式耳机其次，来说一下推力
。我知道对于这个问题大多数人都认为他是玄学并且不屑一顾，但实际情况是音源的推力对于耳机，尤其是高阻耳机来说真的很重要像一副百欧姆级别的大耳机，其驱动电压要求是比较高的，普通手机/MP3的输出阻抗，输出最大不失真功率等参数是完全不够塞牙缝的
，尤其是高频情况，大电压驱动下一般便携式设备的压摆率远远喂不饱高阻耳机，这个时候导致的高频信息丢失是很严重的
，所以在手机上推类似于K701/702，HD650，T90等大耳机的时候高频部分往往比较暗淡，并且毛刺比较多，而且一部设备的最佳输出点绝非满音量点，一部便携式设备以接近满音量状态推一个大耳机，其动态，细节肯定做得不太好而且专业音源对高阻耳机做了好多优化
，以笔者的谷津U2S为例，其300欧姆负载的输出功率达到接近250mW，我想一般的手机，MP3输出功率总不会超过10mW吧？其中的差距，我就不细细说来了回到MX4，他顶多只是一部手机啊！
一部手机你能指望他有多高，推力表现能有多好？拿那些hifi国砖为例，比如说C4，这货我记得推HD650只能听6个小时左右吧？这就是高推力的代价！而且这货的运放，解码部分是特制的，采用的晶振和电容也都是针对机器的电学特性特别挑选的，并且除了播放音乐，C4基本上不能干什么了，正是这种专业的设计和极简单的功能维持了内部电路的高度简洁，最大程度上减少了干扰与失真，带来了高品质的声音MX4？我就不说那些高频CPU，复杂的蓝牙，wifi以及3/4G网络带来的严重串扰了，就说推力部分，你连续大功率输出，搞得待机时间只有10个小时不到。。。我要这部手机有何用？所以。。。年轻人不要幻想了。。。MX4撑死了也就千元级入门“准hifi”播放器水平至于他的128欧姆耳机么。。。就当来搞笑的吧，而且是那种吃饱了撑的自己作死的冷笑话不过价格倒是蛮实惠的，呵呵晶振可以并联吗
晶振可以串联或并联使用。
和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以将drivelevel调整用。用来调整drivelevel和发振余裕度。
晶振并联电阻的四大作用：
1、配合IC内部电路组成负反馈、移相，使放大器工作在线性区；
2、限流防止谐振器被过驱；
3、并联降低谐振阻抗，使谐振器易启动；
4、电阻取值影响波形的脉宽。
晶振滤波器的使用方法
(1)利用电容通高频隔低频的特性，将火线、零线高频干扰电流导入地线(共模)，或将火线高频干扰电流导入零线(差模);
(2)利用电感线圈的阻抗特性，将高频干扰电流反射回干扰源;
(3)利用干扰抑制铁氧体可将一定频段的干扰信号吸收转化为热量的特性，针对某干扰信号的频段选择合适的干扰抑制铁氧体磁环、磁珠直接套在需要滤波的电缆上即可。
