晶振电路电阻(晶振电路中容阻该如何匹配)
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有源晶振主要参数
参数:
a.标称频率：在规定条件下，晶振的谐振中心频率.
b.调整频差：在规定条件下，基准温度时的工作频率相对标称频率的最大偏离值.(ppm)
c.温度频差：在规定条件下，在整个工作温度范围内，相对于基准温度时工作频率的允许偏离值.
d.负载谐振电阻：晶振与指定外部电容相串联，在负载谐振频率时的电阻值.
e.负载电容：是指与晶振一起决定负载谐振频率的有效外界电容.常用标准值有：12pF、16pF、20pF、30pF.
晶振的等效串联电阻大好吗
晶振的等效串联电阻不好也不坏，它是晶体振荡器电路中的一个重要参数，用于描述晶振的电阻特性。晶振的等效串联电阻越小，表示其振荡效率越高，能够提供更为稳定的频率输出；反之，如果等效串联电阻较大，则会对振荡器的稳定性产生不良影响。因此，晶振的等效串联电阻大小需要根据具体应用场合的需求进行选择，以保证晶振的稳定性和精度。
两脚晶振怎么测量好坏
使用万用表进行测试：将万用表设置为电阻档位，接触晶振的两个引脚，如果万用表显示正常的电阻值，则说明晶振工作正常。
使用频率计进行测试：使用频率计来测量晶振的频率，如果频率与标称频率相差太大，则说明晶振可能已经失效。
使用示波器进行测试：将示波器的探头分别连接到晶振的两个引脚上，然后观察波形是否稳定和正常。如果波形不稳定或者出现异常，则说明晶振存在问题。
串并联晶振电路怎么判断
若把晶振等效为一电感LD时，该电路即成为电容三点式振荡器，只有频率在晶振的fo与f∞之间时，晶振才会呈现出感抗特性；串联谐振电路与电容三点式振荡电路十分相似，区别体现在反馈信号不是直连至半导体管的发射端，而是经晶振接入实现正反馈。
若LC选频回路的振荡频率等于晶振的串联谐振频率，晶振就会呈现很小的电阻，实现正反馈最强，满足振荡条件，振荡电路便可起振。
晶振电路中容阻该如何匹配
大多数电子工程师都见过单片机中如下图所示的形式，一般单片机都会有这样的电路。晶振的两个引脚与芯片（如单片机）内部的反相器相连接，再结合外部的匹配电容CL1、CL2、R1、R2，组成一个皮尔斯振荡器（Pierceoscillator）
上图中，U1为增益很大的反相放大器，CL1、CL2为匹配电容，是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点。以接地点即分压点为参考点，输入和输出是反相的，但从并联谐振回路即石英晶体两端来看，形成一个正反馈以保证电路持续振荡，它们会稍微影响振荡频率，主要用与微调频率和波形，并影响幅度。X1是晶体，相当于三点式里面的电感
R1是反馈电阻（一般≥1MΩ），它使反相器在振荡初始时处于线性工作区，R2与匹配电容组成网络，提供180度相移，同时起到限制振荡幅度，防止反向器输出对晶振过驱动将其损坏。
这里涉及到晶振的一个非常重要的参数，即负载电容CL（Loadcapacitance），它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。
负载电容的公式如下所示：
其中，CS为晶体两个管脚间的寄生电容（ShuntCapacitance）
CD表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2
CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1
一般CS为1pF左右，CI与CO一般为几个皮法，具体可参考芯片或晶振的数据手册
（这里假设CS=0.8pF，CI=CO=5pF，CPCB=4pF）。
比如规格书上的负载电容值为18pF，则有
则CD=CG=34.4pF，计算出来的匹配电容值CL1=CL2=25pF
求晶振旁的电阻（并联与串联）作用
并联电阻的作用是在低电压的时候确保关闭振荡，此低电压值低于单片机的最低工作电压。可以不接的如果接上可以防止过激震荡，一般外接的都不接，如果与非门、与门一起就要接的。石英晶体振荡器，石英谐振器简称为晶振，它是利用具有压电效应的石英晶体片制成的。
这种石英晶体薄片受到外加交变电场的作用时会产生机械振动，当交变电场的频率与石英晶体的固有频率相同时，振动便变得很强烈，这就是晶体谐振特性的反应。
利用这种特性，就可以用石英谐振器取代LC(线圈和电容)谐振回路、滤波器等。由于石英谐振器具有体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度高等优点，被应用于家用电器和通信设备中。
石英谐振器因具有极高的频率稳定性，故主要用在要求频率十分稳定的振荡电路中作谐振元件。
