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晶振电路 电阻(晶振的电阻值是多少欧姆)

压电侠1年前 (2024-03-11)压电资讯167

本文目录

  1. 电容两端的电阻是多少
  2. 晶振的电阻值是多少欧姆
  3. 晶振电路中容阻该如何匹配
  4. 晶振温漂指标是多少
  5. 晶振的等效串联电阻大好吗
  6. 晶振的符号

电容两端的电阻是多少

单片机供电电压是3.3V,在其数字(DGND)和数字电源(VDD)间并接了一个10uF/16v的电解电容和一个104普通电容,104电容两端的电压应该为多大呀,两端电阻呢,我现在测量其两端电压、电阻都是0,对吗?

另4.19MHZ的温补晶振,其电源脚与电路板电源(VCC)间接了一个40.2k的电阻,板子电源与地间接了一个104电容,电阻焊道板子上后测得其两端电阻为25k

晶振的电阻值是多少欧姆

并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻,它为内部的反相器提供直流偏置电压,选值一般为1M欧姆,这没问题。但是,可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻,如果已经包含了,则外部就不要再加了。

另外,晶振的负载电容及layout设计需要做好检查,确保没有问题。

最后,常规的检查无效之后,可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。

Rd的选值:1/(2*

pi*f0*

C2),f0为晶振频率。

晶振电路中容阻该如何匹配

大多数电子工程师都见过单片机中如下图所示的形式,一般单片机都会有这样的电路。晶振的两个引脚与芯片(如单片机)内部的反相器相连接,再结合外部的匹配电容CL1、CL2、R1、R2,组成一个皮尔斯振荡器(Pierceoscillator)

上图中,U1为增益很大的反相放大器,CL1、CL2为匹配电容,是电容三点式电路的分压电容,接地点就是分压点。以接地点即分压点为参考点,输入和输出是反相的,但从并联谐振回路即石英晶体两端来看,形成一个正反馈以保证电路持续振荡,它们会稍微影响振荡频率,主要用与微调频率和波形,并影响幅度。X1是晶体,相当于三点式里面的电感

R1是反馈电阻(一般≥1MΩ),它使反相器在振荡初始时处于线性工作区,R2与匹配电容组成网络,提供180度相移,同时起到限制振荡幅度,防止反向器输出对晶振过驱动将其损坏。

这里涉及到晶振的一个非常重要的参数,即负载电容CL(Loadcapacitance),它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容(不是晶振外接的匹配电容),主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻,与晶体一起决定振荡器电路的工作频率,通过调整负载电容,就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。

负载电容的公式如下所示:

其中,CS为晶体两个管脚间的寄生电容(ShuntCapacitance)

CD表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容,包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2,即CD=CPCB+CO+CL2

CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容,包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1,即CG=CPCB+CI+CL1

一般CS为1pF左右,CI与CO一般为几个皮法,具体可参考芯片或晶振的数据手册

(这里假设CS=0.8pF,CI=CO=5pF,CPCB=4pF)。

比如规格书上的负载电容值为18pF,则有

则CD=CG=34.4pF,计算出来的匹配电容值CL1=CL2=25pF

晶振温漂指标是多少

晶振的温漂指标是一个重要的性能参数,它表示晶振频率随温度变化的漂移量。根据不同的晶振类型和应用场景,温漂指标的范围也会有所不同。一般来说,普通的晶振温漂在±10-30ppm/℃左右,而一些高精度、高稳定的晶振则可以将温漂指标控制在±0.5-2ppm/℃以内。因此,在选择晶振时,需要根据具体的应用场景和需求来选择合适的温漂指标。同时,为了减小晶振温漂的影响,还可以采用一些补偿技术,如温度补偿电路、数字补偿技术等。

晶振的等效串联电阻大好吗

晶振的等效串联电阻不好也不坏,它是晶体振荡器电路中的一个重要参数,用于描述晶振的电阻特性。晶振的等效串联电阻越小,表示其振荡效率越高,能够提供更为稳定的频率输出;反之,如果等效串联电阻较大,则会对振荡器的稳定性产生不良影响。因此,晶振的等效串联电阻大小需要根据具体应用场合的需求进行选择,以保证晶振的稳定性和精度。

晶振的符号

晶振在电路板上用X表示。

晶振一般指晶体振荡器。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片),石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振;而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

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