有源晶振指标(有源晶振主要参数)
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如何判断有源晶振的好坏
判断晶振好坏的十个方法
1、将电笔插入插座中（当然是火线），用一只晶振的脚接触电笔屁股，另一只脚用手接触，如果电笔亮，就是好的。
2、用万用表10K挡检测，无穷大为良品。
3、替换法。用数字电容表（或数字万用表的电容档）测量其电容，一般损坏的晶振容量明显减小（不同的晶振其正常容量具有一定的范围，可测量好的得到，一般在几十到几百PF）
4、用替换法。晶振很难用万用表判断的，正向电阻是无穷大反向电阻也是无穷大。
5、如果有条件呢就用示波器看有无波型。
6、最好的办法就是在电路中用万用表量一下它的两端有没有工作电压，若有的话，再有示波器量一下它的频率，若频率不对的话，很有可能它坏了。
7、用10K档量一量有一点阻值是不行的，摇一摇里面有振动是不行的。
8、可以加上电压和激励信号，用示波器一测就明白。
9、你可以测测它有没有输出，再测是否有控制电压。
10、若大批筛选的话，可搭一个单管晶体震荡电路，晶体的两个端子接个两孔小插座，作为测试晶振的插孔，用示波器或频率计测试其输出信号，还可测得频率精度；若无这两种仪器，可自制一个倍压检波探头，整流成一直流电压再用万用表1V档测的震荡电压高低，以判断晶振的好坏及品质
有源晶振主要参数
参数:
a.标称频率：在规定条件下，晶振的谐振中心频率.
b.调整频差：在规定条件下，基准温度时的工作频率相对标称频率的最大偏离值.(ppm)
c.温度频差：在规定条件下，在整个工作温度范围内，相对于基准温度时工作频率的允许偏离值.
d.负载谐振电阻：晶振与指定外部电容相串联，在负载谐振频率时的电阻值.
e.负载电容：是指与晶振一起决定负载谐振频率的有效外界电容.常用标准值有：12pF、16pF、20pF、30pF.
晶振的供电电压
因型号规格的多样性,有源晶振所需供电电压也有所不同,归纳如下:
常见DIP插件式封装的有源晶振:3.3V和5V。插件式有源晶振常见于半尺寸DIP8和全尺寸DIP14两种封装。信号输出模式主要为方波(CMOS)和正弦波(sinewave)。输出负载有15PF或30PF。常见SMD贴片式封装有源晶振:1.8V、2.8V、3.0V和3.3V。一般体积越小,功耗越小,电压也越低。信号输出模式主要为方波(CMOS),输出负载以15PF为主。温补晶振(TCXO)则以削峰正弦波(clippedsinewave)为主,输出负载:10KΩ//10pF。注意:3.3V晶振用在5V电路上有可能会烧坏晶振,晶振如果是5V供电,根据内部电路设计的不同,有的可以使用3.3V供电,有的则不可以。
另外,一般3.3V供电的晶振有一个电压允许范围,比如3.3V供电的晶振，3V供电也是可以使用的，但不能低到2.8V，这些都是根据晶振特性来确定的。针对高端晶振而言，最好是确保供电电压与规格书所要求电压相符合。
10MHz有源晶振的内阻一般是多少
要看输出类型是弦波或方波。
一般有源晶振，包括10MHz这类，输出都是TTL或CMOS相容方波信号并直接接到电路板上的数字电路来使用，平常并不做阻抗匹配，因此，厂商通常并没有标示输出阻抗，不同厂商或型号的输出阻抗也可能不同。
弦波输出型则可能是一般常见的RF阻抗:50欧，但也可能是其他阻抗。
要想知道它的输出阻抗，请询问所用那一颗的生产厂商，或依照自己电路需要的特性进行实际测量。
怎么测有源晶振的好坏
测有源晶振的好坏方法：
1.测量电阻法
万用表R×10k档测量有源晶振的正、反向电阻值，正常时均应为∞（无穷大）。若测得石英晶体振荡器有一定的阻值或为0，则说明该有源晶振已漏电或击穿损坏。
2.测量电容量法
通过用电容表或具有电容测量功能的数字万用表测量有源晶振的电容量，可大致判断出该有源晶振是否已变值。若测得有源晶振的容量大于近似值或无容量，则可确定是该有源晶振已变值或开路损坏。
3.用测试电路检测
用晶体管及有关外转元件组成的测试电路也可以检测有源晶振是否完好。
晶振两端电压多少正常
首先你要确定，你电电路的工作电压在正常工作时是会从6V～26V不稳定变化吗？如果是这样别说晶振，其它材料你一样都买不到。
如果能确定就明确你最希望要哪个电压，一般厂家的有源晶振工作电压最多的是3.3V5V12V，少数2.8V3V9V，其它电压很少，温度范围一般厂家有-20～70-40～85，军工级的-40～125比少
