晶振电容车载(10ppm晶振应外接多大电容)
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20pf***10ppm晶振应外接多大电容
根据晶振的特性和外部电路的需要，选择合适的电容可以提高晶振的稳定性和抗干扰能力。对于20pf的晶振，建议外接两个10pf的电容，以保证电容的总值与晶振的额定值相等。同时，考虑到10ppm的精度要求，建议选择稳定性较好的C0G或NP0型电容，并进行合理的布局和设计，以减少干扰和误差的影响。
在实际应用中，还需要根据具体的电路要求和环境条件进行优化和调试，以达到最佳的性能和可靠性。
最小系统的晶振是多少
晶振电路是最小系统中的时钟电路，给单片机提供时间基准。
单片机在工作时，是一条一条地从ROM中取指令，然后一步一步地执行。每隔多久执行一条指令，这就需要有一个时间基准，来让单片机的程序的基本功能得到实现。而晶振电路就是用来提供这个时间基准的。
时钟芯片DS1302的各引脚功能如下：
1、Vcc1：主电源；Vcc2：备份电源。当Vcc2>Vcc1+0.2V时，由Vcc2向DS1302供电，当Vcc2<
Vcc1时，由Vcc1向DS1302供电。
2、SCLK：串行时钟，输入，控制数据的输入与输出；
3、I/O：三线接口时的双向数据线；
4、RST为复位引脚，在读、写数据期间，必须为高，
5、X1X2为32.768Hz晶振管脚，为芯片提供时钟脉冲。
无源晶振如何匹配电容
查它的型号手册，有“负载电容”的规范。通常有3种规格：
1、高频晶振，30pF；
2、低频晶振，100pF；
3、串联晶振，无穷大（即不用电容）。根据振荡需要，可以把负载电容分解为几个，例如用100pF串联47pF代替30pF负载电容，可以与晶体管构成电容三点式振荡回路。
8m晶振配多大的电容
在选择晶振外围元器件时，需要考虑晶振型号、频率、电容等因素。通常，晶振带有一个额定的负载电容范围，一般为其频率的20%~40%。比如，如果您的8MHz晶振额定的负载电容为20pF，那么您可以选择两个10pF或一个22pF的电容进行匹配。不同晶振型号和使用场景可能需要不同的电容值，因此最好查看晶振的手册或联系厂商以获取最准确的外围元器件参数。
晶振的负载电容怎么计算
振电容的选取和计算。一般来说对于晶振旁边的电容我们没有具体去选取而是用啥片子它总有个理论的电容匹配值我们就用那个了。其中负载电容CL=Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容，Cg和Cd为我们外部加的两个电容。
通常我们都是选取两个相同的电容值，它们并联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容CL.因此在实际使用过程中，我们焊接好电路后，最好测一下晶振的实际频率，如果与相差的比较远，可以通过微调外部匹配电容来使得实际频率达到我们需要的
25m晶振要接多大电容
25MHz晶振的接法需要根据实际情况来确定所需的电容大小。一般情况下，可以选择10-22pF的贴片电容或插件电容进行连接。具体的选择应根据晶振的品牌、型号、频率稳定度以及电路板的布局等因素来进行，同时还要考虑到实际应用的环境和要求。
在确定电容大小时，需要注意电容的频率响应特性和阻抗匹配问题，以确保晶振的稳定性和可靠性。
