全球声学滤波器技术发展趋势
图I.H.P.SAW的基本结构
I.H.P.SAW可以实现与BAW相同或高于BAW的特性，并兼具了BAW的温度特性、高散热性的优点，具体如下：
（1） 高Q值：在1.9GHz频带上的谐振器试制结果显示，其Q值特性的峰值超过了3000，比以往Qmax为1000左右的SAW得到了大幅度的改善。
（2）低TCF：它通过同时控制线膨胀系数和声速来实现良好的温度特性。以往SAW的TCF转换量非常大（约为-40ppm/℃），而 I.H.P.SAW可将其改善至±8ppm/℃以下。
（3）高散热性：向RF滤波器输入大功率信号后IDT会产生热量，输入更大功率则可能因IDT发热而破坏电极，从而导致故障。 I.H.P.SAW可将电极产生的热量高效地从基板一侧散发出去，可将通电时的温度上升幅度降至以往SAW的一半以下。低TCF和高散热性两种效果，使其在高温下也能稳定工作。
三、新型体声波滤波器
目前市面上的体声波滤波器基本上基于多晶薄膜工艺。而初创公司Akoustis Technologies,Inc.发明的Bulk ONE? BAW技术是采用单晶AlN-on-SiC谐振器，据称性能能够提升30%。
图单晶硅BAW技术针对高频应用
Akoustis技术公司（前称为Danlax,Corp.）是根据美国内华达州法律于2013年4月10日注册成立，总部设在北卡罗来纳州的亨茨维尔。2015年4月15日，公司更名为Akoustis技术公司。2017年3月，登陆纳斯达克。
目前Akoustis已经宣布推出了三款商用滤波器产品：第一款是用于三频WiFi路由器应用的商用5.2 GHz BAW RF滤波器；第二款是针对雷达应用的3.8 GHz BAW RF滤波器；第三款AKF -1652是针对未来4G LTE和5G移动设备5.2 GHz BAW RF滤波器
四、封装微型化
滤波器的封装微型化主要是指的是采用晶圆级封装技术。
Qorvo的CuFlig互联技术使用铜柱凸点代替线焊。晶圆级封装滤波器取消了陶瓷封装，可以实现尺寸更小，设备更轻薄。
图CuFlip技术相对于线焊的比较优势
RF360公司DSSP（Die-Sized SAW Packaging，裸片级声表封装）和TFAP技术（Thin-Film Acoustic Packaging，薄膜声学封装技术），实现了产品微型化，并可提供2in1，甚至4in1的滤波器模组。
不同产品类别的新的标准封装尺寸：双工器1.8mm1.4mm，2in1滤波器：1.5mm1.1mm，单一滤波器：1.1mm*0.9mm。
图RF360声表滤波器、双工器和多工器的微型化
图DSSP封装图解
图采用TFAP技术的BAW滤波器
五、射频前端集成化模块化
国际大厂一直致力于射频前端的集成化及模块化，比如高通RF360方案；Murata将滤波器、RF开关、匹配电路等一体化的模块；Qorvo RF Fusion解决方案等。
高通POP3D设计采用先进的3D封装技术，单一封装内集成了单芯片多模功率放大器和天线开关（AS），并将滤波器和双工器集成到一个单一基底中，然后将基底置于基础组件之上，整合成一个单一的“3D”芯片组组合，从而降低了整体的复杂性，摒弃了当今射频前端模块中常见的引线接合。
图高通射频POP 3D设计CMOS前端
Qorvo RFFusion解决方案包含三种模块化解决方案，实现高、中、低频段频谱区域全覆盖。各模块都集成了功率放大器（PA）、开关和滤波器。
