晶振的负载电容作用(有源晶振的负载电容重要吗)
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晶振的负载电容怎么计算
振电容的选取和计算。一般来说对于晶振旁边的电容我们没有具体去选取而是用啥片子它总有个理论的电容匹配值我们就用那个了。其中负载电容CL=Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容，Cg和Cd为我们外部加的两个电容。
通常我们都是选取两个相同的电容值，它们并联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容CL.因此在实际使用过程中，我们焊接好电路后，最好测一下晶振的实际频率，如果与相差的比较远，可以通过微调外部匹配电容来使得实际频率达到我们需要的
有源晶振的负载电容重要吗***
有源晶振属于主动元器件，不需要考虑负载电容是否匹配，无源晶振需要考虑负载电容的匹配问题。
什么是负载电容所谓负载电容，是指晶振的两条引脚与单片机相连时内部及外部所有有效电容之和，可以理解成晶振和一个电容串联在电路中。在学单片机时，单片机所使用的无源晶振必须连接两个外部电容才可以起振，所以负载电容对无源晶振而言很重要。
无源晶振的负载电容匹配前文说过，无源晶振需要匹配负载电容，在使用无源晶振时需要两个15-30pF的瓷片电容连接在晶振的两个引脚，另一端接地，如下图所示。
这两个电容的选取需要根据数据手册而定，一般而言，如果没有具体说明其范围在15-30pF之间。在使用DS1302时钟芯片设计电路时，所用的晶振为32.768KHz，要求晶振的负载匹配电容为6pF左右，否则走时可能不准确，我以前吃过这个亏。
有源晶振不需要负载电容无源晶振不需要供电，只需要外接两个电容即可起振。而有源晶振是需要供电的，也不需要负载电容，也就不需要匹配负载电容。有源晶振与单片机连接的电路图如下所示。
有源晶振有四个引脚，其中两个引脚接电源，一个引脚为信号输出，另一个引脚接地或者悬空。
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负载电容要怎么与晶振搭配
1.负载电容需要与晶振搭配。2.因为晶振需要一个稳定的负载电容来保证其工作的稳定性和精度。负载电容的大小应该根据晶振的频率和品质因数来选择，一般来说，频率越高，负载电容越小，品质因数越高，负载电容越大。3.在实际应用中，还需要考虑到负载电容的温度漂移、电容器的稳定性和寿命等因素，以及晶振的驱动能力和噪声等特性。因此，在选择和搭配负载电容和晶振时，需要综合考虑各种因素，以达到最佳的性能和可靠性。
如何确定晶振的负载电容
晶振的负载电容是指将晶振装置在振荡电路中时接在晶振的两端，起到调整振荡频率的作用，不同频率的振荡需要不同的负载电容。
负载电容的计算需要考虑晶振的特性参数、振荡电路的特性参数和使用环境等多个因素，具体的计算方法可以参考厂家提供的数据手册或相关的设计规范。
通常，负载电容大小一般在10pF-33pF之间，但具体数值还需要根据实际情况进行调整和优化。
晶振电容大小选取规则
负载电容的大小不是固定的，需要晶振的规格要求而定，晶振的规格书都标有负载电容的要求，一定要看清楚规格书，选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF，晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了
选择负载电容的要注意事项：
选择NPO/G0G材质，温度和高频特性更好
公差当然是尽量选择小的，最好选择2%或者1%的。
晶振电路中如何选择电容C1C2
晶振旁边两个小电容是负载电容
在使用外部晶振作为芯片的系钟时，晶振需要串联两个负载小容。另小瞧这两个小电容哦，没有它们，晶振就没法工作了。
晶振旁边的负载电容有什么作用？芯片晶振引脚的内部通常是一个反相器，芯片晶振的两个引脚之间还需要连接一个电阻，使反相器在振荡初始时处与线性状态，但这个电阻一般集成在芯片的内部，反相器就好像一个有很大增益的放大器，为了方便起振，晶振连接在芯片晶振引脚的输入和输出之间，等效为一个并联谐振回路，振荡的频率就是石英晶振的并联谐振频率。晶振旁边的两个电容需要接地,，其实就是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点，以分压点为参考点，振荡引脚的输入和输出是反相的，但从晶振两端来看，形成一个正反馈来保证电路能够持续振荡。芯片设计的时候，其实这两个电容就已经形成了，一般是两个的容量相等，但容量比较小，不一定适合很宽的振荡频率范围，所以需要外接两个负载电容。晶振旁边的负载电容怎么选择？负载电容需要根据晶振的规格来选择，晶振的规格书都会标示出负载电容的大小，一般都是几pF到几十pF。假如晶振规格要求用20pF的负载电容，因为两个负载电容是串联的，理论上需要选择两个40pF的负载电容。实际上MCU内部和PCB的线路上都会有一定的寄生电容，晶振的负载电容=[(C1*C2)/(C1+C2)]+Cic+△C，Cic+△C为MCU内部电容和PCB线路的寄生电容，一般是3~5pF，所以，在实际应用中会考虑用30pF~36pF的负载电容。晶振和负载电容布线注意事项为了让晶振能够可靠、稳定的起振，我们在布线时，需要让晶振和负载电容尽量的靠近芯片的晶振引脚。
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