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晶振参数说明(晶振电路的主要参数)

压电侠6个月前 (03-11)压电资讯85

本文目录

  1. 4208晶振参数
  2. 晶振怎么标识
  3. 晶振电路的主要参数
  4. lr433t2晶振参数
  5. 晶振坏了的症状和表现
  6. 单片机最小系统晶振参数

4208晶振参数

品牌 XDJ

型号 NDR4208

种类 晶振

标称频率 433.92M

调整频差 ±75KHZ

温度频差 ±75KHZ

总频差 ±75KHZ

负载电容 0.1

负载谐振电阻 ≤30

激励电平 10

基准温度 -20~+70

插入损耗 2

阻带衰减 2

输入阻抗 30

输出阻抗 30

晶振怎么标识

晶振在电路板上用X表示。

晶振一般指晶体振荡器。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片),石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振;而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

一、相关应用

1、通用晶体振荡器,用于各种电路中,产生振荡频率。

2、时钟脉冲用石英晶体谐振器,与其它元件配合产生标准脉冲信号,广泛用于数字电路中。

3、微处理器用石英晶体谐振器。

4、CTVVTR用石英晶体谐振器。

5、钟表用石英晶体振荡器。

二、发展趋势

1、小型化、薄片化和片式化:为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求,石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。例如TCXO这类器件的体积缩小了30~100倍。采用SMD封装的TCXO厚度不足2mm,目前5×3mm尺寸的器件已经上市。

2、高精度与高稳定度,无补偿式晶体振荡器总精度也能达到±25ppm,VCXO的频率稳定度在10~7℃范围内一般可达±20~100ppm,而OCXO在同一温度范围内频率稳定度一般为±0.0001~5ppm,VCXO控制在±25ppm以下。

3、低噪声,高频化,在GPS通信系统中是不允许频率颤抖的,相位噪声是表征振荡器频率颤抖的一个重要参数。OCXO主流产品的相位噪声性能有很大改善。除VCXO外,其它类型的晶体振荡器最高输出频率不超过200MHz。

例如用于GSM等移动电话的UCV4系列压控振荡器,其频率为650~1700MHz,电源电压2.2~3.3V,工作电流8~10mA。

4、低功耗,快速启动,低电压工作,低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。电源电压一般为3.3V。许多TCXO和VCXO产品,电流损耗不超过2mA。石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。

例如日本精工生产的VG—2320SC型VCXO,在±0.1ppm规定值范围条件下,频率稳定时间小于4ms。日本东京陶瓷公司生产的SMDTCXO,在振荡启动4ms后则可达到额定值的90%。OAK公司的10~25MHz的OCXO产品,在预热5分钟后,则能达到±0.01ppm的稳定度。

晶振电路的主要参数

您好,晶振电路的主要参数包括:

1.频率稳定度:指晶振电路在固定温度范围内的频率稳定性,通常用ppm(百万分之一)来表示。

2.频率偏差:指晶振电路的输出频率与理论频率之间的差异,通常用ppm来表示。

3.工作电压:晶振电路的正常工作电压范围,一般为3.3V或5V。

4.工作温度范围:晶振电路的正常工作温度范围,一般为-40℃至85℃。

5.负载电容:晶振电路所需的负载电容大小,通常为12-22pF。

6.振荡模式:晶振电路的振荡模式,包括平面振荡模式和谐振振荡模式。

7.稳定性:晶振电路的稳定性指的是其在不同工作条件下的频率稳定性,如温度、电压等。

8.Q值:晶振电路的Q值指的是其谐振回路的品质因素,一般越大表示振荡器性能越好。

lr433t2晶振参数

频率:433Mhz外型:方形T2铁帽尺寸:7.2*3.4MM另出售封装:TO39(圆三脚)/F11(长方形四脚)/D11(长方形三脚)/T2(72*34贴片三脚)/QCC4A(5*3.5贴片四脚)/QCC8C(5*5贴片八脚)

晶振坏了的症状和表现

1若有损坏,则可能导致USB接口失灵等问题。

2、14.318兆赫兹时钟晶振,用于时钟芯片。14.318兆赫兹晶振不起振,会影响主板_上电后全板无复位。起振波形不正常,还有可能导致主机开机不稳定的现象发生。

3、24.576兆赫兹音频晶振,与声卡芯片相连。晶振不起振可能会出现无音频信号,抓不住声卡等问题。

单片机最小系统晶振参数

单片机最小系统的晶振参数通常包括频率和电容值。晶振的频率决定了单片机的时钟速度,而电容值则与晶振的稳定性有关。一般情况下,晶振的频率范围在1~20MHz之间,而电容值则根据具体的单片机型号和晶振频率来选择,一般常见的值有15pF、20pF、30pF等。此外,还有一些其他的参数,如负载电容、驱动能力等,也会影响晶振的稳定性和性能表现。在选择单片机最小系统的晶振参数时,需要根据具体的单片机型号和应用需求来综合考虑。

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