晶振静态电容(晶振电路中如何选择电容C1C2)
本文目录
晶振的电阻值是多少欧姆
并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻，它为内部的反相器提供直流偏置电压，选值一般为1M欧姆，这没问题。但是，可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻，如果已经包含了，则外部就不要再加了。
另外，晶振的负载电容及layout设计需要做好检查，确保没有问题。
最后，常规的检查无效之后，可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。
Rd的选值：1/(2*
pi*f0*
C2)，f0为晶振频率。晶振电容大小选取规则
负载电容的大小不是固定的，需要晶振的规格要求而定，晶振的规格书都标有负载电容的要求，一定要看清楚规格书，选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF，晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了
选择负载电容的要注意事项：
选择NPO/G0G材质，温度和高频特性更好
公差当然是尽量选择小的，最好选择2%或者1%的。
有源晶振输出端接电容电阻的目的
有源晶振输出端接电容和电阻的目的是为了稳定和调整晶振的工作频率。具体作用如下：
1.稳定性：电容和电阻组成了一个低通滤波器，起到滤除高频噪声的作用。通过减少噪声干扰，可以提高晶振的稳定性，避免频率漂移和抖动。
2.加载能力：当晶振需要驱动较大的负载电容时，通过增加引入电容和电阻，可以提高晶振的加载能力，保证信号输出的稳定性。
3.频率调整：通过改变电容或电阻的数值，可以微调晶振的频率。增加电容会使晶振频率减小，减小电容会使晶振频率增加。在某些应用中，需要微调晶振频率以满足特定的要求，这时候可以通过调整电容或电阻来实现。
因此，连接电容和电阻到有源晶振的输出端可以提高晶振的稳定性、加载能力，并且可用于调整晶振频率。
20pf 10ppm晶振应外接多大电容
根据晶振的特性和外部电路的需要，选择合适的电容可以提高晶振的稳定性和抗干扰能力。对于20pf的晶振，建议外接两个10pf的电容，以保证电容的总值与晶振的额定值相等。同时，考虑到10ppm的精度要求，建议选择稳定性较好的C0G或NP0型电容，并进行合理的布局和设计，以减少干扰和误差的影响。
在实际应用中，还需要根据具体的电路要求和环境条件进行优化和调试，以达到最佳的性能和可靠性。
主板晶振的谐振电容是什么摸样的
晶振两边的谐振电容也称负载电容。晶体外壳所标注的频率，既不是串联谐振频率也不是并联谐振频率，而是在外接负载电容时测定的频率，数值界乎于串联谐振频率与并联谐振频率之间。当然，你也可以这样理解：晶振的标称值在测试时有一个“负载电容”的条件，在工作时满足这个条件，振荡频率才与标称值一致,也就是说，只有连接合适的电容才能满足晶振的起振要求，晶振才能正常工作。希望对你有所帮助。
晶振电路中如何选择电容C1C2
晶振旁边两个小电容是负载电容
在使用外部晶振作为芯片的系钟时，晶振需要串联两个负载小容。另小瞧这两个小电容哦，没有它们，晶振就没法工作了。
晶振旁边的负载电容有什么作用？芯片晶振引脚的内部通常是一个反相器，芯片晶振的两个引脚之间还需要连接一个电阻，使反相器在振荡初始时处与线性状态，但这个电阻一般集成在芯片的内部，反相器就好像一个有很大增益的放大器，为了方便起振，晶振连接在芯片晶振引脚的输入和输出之间，等效为一个并联谐振回路，振荡的频率就是石英晶振的并联谐振频率。晶振旁边的两个电容需要接地,，其实就是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点，以分压点为参考点，振荡引脚的输入和输出是反相的，但从晶振两端来看，形成一个正反馈来保证电路能够持续振荡。芯片设计的时候，其实这两个电容就已经形成了，一般是两个的容量相等，但容量比较小，不一定适合很宽的振荡频率范围，所以需要外接两个负载电容。晶振旁边的负载电容怎么选择？负载电容需要根据晶振的规格来选择，晶振的规格书都会标示出负载电容的大小，一般都是几pF到几十pF。假如晶振规格要求用20pF的负载电容，因为两个负载电容是串联的，理论上需要选择两个40pF的负载电容。实际上MCU内部和PCB的线路上都会有一定的寄生电容，晶振的负载电容=[(C1*C2)/(C1+C2)]+Cic+△C，Cic+△C为MCU内部电容和PCB线路的寄生电容，一般是3~5pF，所以，在实际应用中会考虑用30pF~36pF的负载电容。晶振和负载电容布线注意事项为了让晶振能够可靠、稳定的起振，我们在布线时，需要让晶振和负载电容尽量的靠近芯片的晶振引脚。
欢迎关注@电子产品设计方案，一起享受分享与学习的乐趣！关注我成为朋友，一起交流，一起学习！记得点赞和评论哦！