晶振输出范围(晶振电路的主要参数)
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12M晶振的特性
12MHZ晶振是一款能够定期产生重复信号的石英晶振，频率值为12.000mhz，它产生的信号通常为正弦波，
石英晶体振荡器的最重要的特性是它的频率：单位时间内完成振动的次数。晶振频率的单位为：HZ赫兹。一赫兹是表示每秒振荡一次。一个兆赫（MHz）是表示每秒振动一万次，它的数就是时钟周期。
12MHz晶体振荡器是一款输出频率是由石英晶体控制，每秒钟产生重复12万次振动的电子单元，晶振12MHZ用途很广，常见是用在在单片机上，它可以产生12个机器周期，起到一个定时的作用，不过现在的单片机要求运行速度要快很多，可以用其内部定时器编写程序。
三脚晶振两端对地电压
三脚晶振是一种电子元件，用于产生稳定的高频信号。在使用过程中，其两端之间会产生一定的电压，这个电压通常称为振荡电压或者信号电压。由于三脚晶振的工作原理和结构特点，其两端对地电压一般为几十伏至几百伏之间，可以通过外部电路进行调节和限制。在实际应用中，需要根据具体的需求和电路设计来选择合适的三脚晶振和电路方案，以实现稳定、可靠的工作效果。
晶振单位换算
晶振的单位是赫兹（Hz），表示每秒振荡的次数。常见的晶振频率有以下几种：
千赫（kHz）：1kHz=1000Hz
兆赫（MHz）：1MHz=1000000Hz
吉赫（GHz）：1GHz=1000000000Hz例如，一个10MHz的晶振表示它每秒振荡10,000,000次。如果需要将晶振频率从一个单位转换为另一个单位，可以使用以下公式：
从Hz转换为kHz：将Hz除以1000即可。
从Hz转换为MHz：将Hz除以1000000即可。
从Hz转换为GHz：将Hz除以1000000000即可。例如，将20MHz的晶振频率转换为GHz，可以使用以下公式：20,000,000Hz÷1,000,000,000=0.02GHz因此，20MHz的晶振频率等于0.02GHz。
晶振电路的主要参数
您好，晶振电路的主要参数包括：
1.频率稳定度：指晶振电路在固定温度范围内的频率稳定性，通常用ppm（百万分之一）来表示。
2.频率偏差：指晶振电路的输出频率与理论频率之间的差异，通常用ppm来表示。
3.工作电压：晶振电路的正常工作电压范围，一般为3.3V或5V。
4.工作温度范围：晶振电路的正常工作温度范围，一般为-40℃至85℃。
5.负载电容：晶振电路所需的负载电容大小，通常为12-22pF。
6.振荡模式：晶振电路的振荡模式，包括平面振荡模式和谐振振荡模式。
7.稳定性：晶振电路的稳定性指的是其在不同工作条件下的频率稳定性，如温度、电压等。
8.Q值：晶振电路的Q值指的是其谐振回路的品质因素，一般越大表示振荡器性能越好。
主板上晶振型号区分~
晶振型号可以通过以下几个方面来区分：
1.晶振容许频率：晶振容许频率表示晶振的频率范围，晶振的容许频率有限，不同的型号有不同的容许频率。
2.晶振精度：晶振精度是指晶振输出频率的偏离，它可以通过晶振的频率误差来表示，不同的晶振型号其精度也不同。
3.工作电压：晶振需要在一定的驱动电压下工作，也并不是所有的晶振都工作在相同的电压，不同型号晶振有不同的驱动电压。
4.封装形式：晶振的封装形式也有所不同，因此我们可以凭借晶振的封装形式来区分晶振的型号。
晶振的供电电压
因型号规格的多样性,有源晶振所需供电电压也有所不同,归纳如下:
常见DIP插件式封装的有源晶振:3.3V和5V。插件式有源晶振常见于半尺寸DIP8和全尺寸DIP14两种封装。信号输出模式主要为方波(CMOS)和正弦波(sinewave)。输出负载有15PF或30PF。常见SMD贴片式封装有源晶振:1.8V、2.8V、3.0V和3.3V。一般体积越小,功耗越小,电压也越低。信号输出模式主要为方波(CMOS),输出负载以15PF为主。温补晶振(TCXO)则以削峰正弦波(clippedsinewave)为主,输出负载:10KΩ//10pF。注意:3.3V晶振用在5V电路上有可能会烧坏晶振,晶振如果是5V供电,根据内部电路设计的不同,有的可以使用3.3V供电,有的则不可以。
另外,一般3.3V供电的晶振有一个电压允许范围,比如3.3V供电的晶振，3V供电也是可以使用的，但不能低到2.8V，这些都是根据晶振特性来确定的。针对高端晶振而言，最好是确保供电电压与规格书所要求电压相符合。
