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stm32 8m晶振 rtc(stm32f7配什么晶振好)

压电侠1年前 (2024-03-11)压电资讯257

本文目录

  1. stm32有几个时钟
  2. stm32f7配什么晶振好
  3. stm32死机的原因有哪些
  4. 弱弱的问下STM32与有源晶振怎么接
  5. stm32晶振电路中电阻作用
  6. stm32的usart1的工作时钟最大是

stm32有几个时钟

STM32有五个时钟源:HSE,HSI,LSE,LSI,PLL。HSE来自于外部的晶振(4-16MHz),精度较高;HSI为STM32内部RC振荡器产生(8MHz),精度较差;LSE为外部固定晶振产生(32.768KHz),一般用于RTC;LSI为内部RC振荡器(40KHz)产生,被用于RTC时钟或者独立看门狗时钟IWDGCLK;PLL为锁相环倍增输出时钟源,其时钟输入源可以为HSI/2,HSE,HSE/2,其倍频可以为2-16,但是其最大频率不能超过72MHz。希望我的回答对你有所帮助

stm32f7配什么晶振好

STM32F103系列芯片,最高工作频率可以到72M,使用8M的外部晶振,一般还需要使用内部的PLL锁相环进行倍频,相比于内部的8M的RC震荡。 STM32工作频率是由晶振倍频来的,以STM32F103VBT6为例,晶振是8M,设置PLL倍频为9的话,工作频率为72M,一般ADC电压不超过VCC; 如果超过ADC,一方面数据可能出错,另一方面电压超过IO口承受范围造成单片损坏,ADC一般都通过电阻分压后进行转换,很少有人把直接信号直接引入ADC转换,特别是功率信号。

stm32死机的原因有哪些

Stm32出现死机,程序跑飞这类的问题,我之前在开发过程中就遇到过,造成这种不良,有很多可能的原因,软件硬件都有可能,需要从几个方面去排查

硬件方面:

1stm32的供电电压是否稳定,是否在正常工作电压范围内。电源文波大小一定要小,一般Ldo供电在3.3v在几个ma,在stm32的vdda和vssa引脚一定要接磁珠,各个电源硬件要接滤波电容

2晶振以及旁路电容,一定要尽可能的靠近单片机,整个电路中是否有裸露的接口如usbio口这类的接口,因为冬天人体或者其他物体静电很大,当瞬间大静电通过接触,传导给单片机时,很容易引起单片机复位或者死机,所以有这样的接口需要做防静电电路,或者专用防静电芯片在保护单片机不死机。

3单片机复位电路,一定在设计的时候需要加旁路电容,同时需要保证复位电路电源稳定,这个与第一点原因说明一样。

4无线射频信号,当电路中有无线类如蓝牙wifigsm等无线射频信号时,也很容易因为无线辐射干扰造成单片机死机,这个就需要找专业测试天线的公司或者设备或者人员去测试辐射状态。无线射频的电线一定要匹配好,否则很容易会有无法预测的不良状态出现。

硬件是软件运行的载体,需要在设计时候就考虑好,增加抗干扰因素,

硬件可以通过静电台空气放电一万伏,接触式采用八千伏,使用一定数量的机器,一定次数的测试,如果不出现死机情况,就说明硬件基本没有问题。

软件方面

1考虑堆栈,编译器默认启动文件中,有堆栈设置的代码,一般官方默认的堆栈设置的比较小,当你的项目代码量大的时候,需要调整这个文件里面堆栈大小

2检查代码,是否有不合理死循环,检查是否有定义的数组溢出,造成程序跑飞

3是否有使用内部flash存储,当不合理的flash内存操作时,也会造成死机.经过批量试产,机器死机问题得到解决.

4不合理的中断,当有多个中断处理时候,一定要设置清晰各个中断不同的中断优先级,不合理的中断设置,也有可能造成死机情况的出现。

5定义的数组不合理,在使用的过程中出现溢出,结果程序就在使用不可知的某一个flash位置的数据进行处理,所以这点也很重要。

以上是我根据自身项目经验,对stm32死机问题的分析与处理。

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弱弱的问下STM32与有源晶振怎么接

1.在晶振焊锡过程中,其焊锡的温度不宜过高,焊锡时间也不宜过长,防止晶体因此发生内变,而产生不稳定.2.晶振外壳需要接地时,应该确保外壳和引脚不被意外连通而导致短路.从而导致晶体不起振,3.保证两条引脚的焊锡点不相连,否则也会导致晶体停振,4.焊锡之后,要进行清洗,以免绝缘电阻不符合要求.

stm32晶振电路中电阻作用

1、配合IC内部电路组成负反馈、移相,使放大器工作在线性区

晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈,保证放大器工作在高增益的线性区,同时起到限流的作用,防止反向器输出对晶振过驱动,损坏晶振。这个电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区,以获得增益,在饱和区是没有增益的,而没有增益是无法振荡的.如果用芯片中的反相器来作振荡,必须外接这个电阻,对于CMOS而言可以是1M以上,对于TTL则比较复杂,视不同类型(S,LS...)而定.如果是芯片指定的晶振引脚,如在某些微处理器中,常常可以不加,因为芯片内部已经制作了。

2、晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动;

晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀,这将引起频率的上升,并导致晶振的早期失效,又可以讲drivelevel调整用。用来调整drivelevel和发振余裕度。

3、并联降低谐振阻抗,使谐振器易启动;

Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,并联降低谐振阻抗,使谐振器易启动;

电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路,形成放大器,当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振,由于晶体的Q值非常高,因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。

stm32的usart1的工作时钟最大是

stm32F1系类最大72Mhz你可以超频用但是不一定能稳定可靠工作比方说你用8M晶振配置按照72M主频算,直接换成10M晶振主频自然就是90MFlashLeancy设到最大应该可以比72Mhz高一些,另外APB1分频要小于等于36MHz,要用usb的话必须是48或72

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