4m晶振匹配电容(如何正确匹配石英晶振的负载电容)
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晶振旁边两电容电压一样吗
晶振旁边两个电容的电压通常是一样的。这是因为这两个电容的取值都是相同的，或者相差不大。如果两个电容的电压相差太大，容易造成谐振的不平衡，从而导致停振或者不起振。
值得注意的是，晶振通常需要与负载电容配合才能正常工作。这些电容不仅仅是为了滤波，而是为了构成振荡器起振的一部分。在无源晶振电路中，通常还会有两个电容，这两个电容一般被称为“匹配电容”或者“谐振电容”，以满足谐振条件让晶振起振并正常工作。
因此，在设计和使用晶振电路时，除了考虑电容的电压外，还需要确保电容的类型和值都符合设计要求，以避免可能出现的问题。
7PF的时钟晶振选择多大的负载电容
选择时钟晶振的负载电容需要考虑多个因素。一般来说，负载电容的大小会影响晶振的频率稳定性和启动时间。对于7PF的时钟晶振，建议选择一个合适的负载电容，通常在10-30PF之间。具体的选择取决于晶振的制造商提供的规格和推荐值。同时，还需要考虑电路板的布局和环境条件等因素，以确保晶振的性能和可靠性。最好参考晶振的数据手册或咨询相关专业人士，以获得准确的建议。
如何正确匹配石英晶振的负载电容
按你选择的石英晶振的规格要求来选择负载电容就好了为保证某些低频率的晶体振荡和陶瓷谐振器的振荡频率更精准，一般都会建议连接两个小容量电容C1和C2到VSS，具体数值你选择的晶体/陶瓷晶振有关，规格书上都会注明。外部并联的反馈电阻Rp是根据实际情况使用的，一般可以用1M~10M的电阻。使用的电容要使用NPO或C0G材质的电容。精度当然是越高越好了。最好使用+/-1%的关注@电子产品设计方案，一起享受分离和学习的乐趣，请在评论区一起讨论哦
20pf 10ppm晶振应外接多大电容
根据晶振的特性和外部电路的需要，选择合适的电容可以提高晶振的稳定性和抗干扰能力。对于20pf的晶振，建议外接两个10pf的电容，以保证电容的总值与晶振的额定值相等。同时，考虑到10ppm的精度要求，建议选择稳定性较好的C0G或NP0型电容，并进行合理的布局和设计，以减少干扰和误差的影响。
在实际应用中，还需要根据具体的电路要求和环境条件进行优化和调试，以达到最佳的性能和可靠性。
晶振电路中容阻该如何匹配
大多数电子工程师都见过单片机中如下图所示的形式，一般单片机都会有这样的电路。晶振的两个引脚与芯片（如单片机）内部的反相器相连接，再结合外部的匹配电容CL1、CL2、R1、R2，组成一个皮尔斯振荡器（Pierceoscillator）
上图中，U1为增益很大的反相放大器，CL1、CL2为匹配电容，是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点。以接地点即分压点为参考点，输入和输出是反相的，但从并联谐振回路即石英晶体两端来看，形成一个正反馈以保证电路持续振荡，它们会稍微影响振荡频率，主要用与微调频率和波形，并影响幅度。X1是晶体，相当于三点式里面的电感
R1是反馈电阻（一般≥1MΩ），它使反相器在振荡初始时处于线性工作区，R2与匹配电容组成网络，提供180度相移，同时起到限制振荡幅度，防止反向器输出对晶振过驱动将其损坏。
这里涉及到晶振的一个非常重要的参数，即负载电容CL（Loadcapacitance），它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。
负载电容的公式如下所示：
其中，CS为晶体两个管脚间的寄生电容（ShuntCapacitance）
CD表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2
CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1
一般CS为1pF左右，CI与CO一般为几个皮法，具体可参考芯片或晶振的数据手册
（这里假设CS=0.8pF，CI=CO=5pF，CPCB=4pF）。
比如规格书上的负载电容值为18pF，则有
则CD=CG=34.4pF，计算出来的匹配电容值CL1=CL2=25pF
晶振的负载电容怎么计算
振电容的选取和计算。一般来说对于晶振旁边的电容我们没有具体去选取而是用啥片子它总有个理论的电容匹配值我们就用那个了。其中负载电容CL=Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容，Cg和Cd为我们外部加的两个电容。
通常我们都是选取两个相同的电容值，它们并联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容CL.因此在实际使用过程中，我们焊接好电路后，最好测一下晶振的实际频率，如果与相差的比较远，可以通过微调外部匹配电容来使得实际频率达到我们需要的
