晶振两端并联电阻(晶振并联接法)
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为什么单片机的外接晶振要并连两个电容
单片机的外接晶振要对地连接两个电容，这两个电容是晶体振荡器的两个负载电容器，起着匹配负载频率的作用，有了这两个电容器，电路更容易起振，频率更为稳定。
不同的晶振，要求不同的负载电容器。
晶振的电阻值是多少欧姆
并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻，它为内部的反相器提供直流偏置电压，选值一般为1M欧姆，这没问题。但是，可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻，如果已经包含了，则外部就不要再加了。
另外，晶振的负载电容及layout设计需要做好检查，确保没有问题。
最后，常规的检查无效之后，可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。
Rd的选值：1/(2*
pi*f0*
C2)，f0为晶振频率。无源晶振好坏的判断
无源晶振的好坏需要根据其准确度、稳定性、温度变化对频率的影响以及寿命等因素进行考量。一般来说，好的无源晶振在准确度方面有高要求，具有很好的频率稳定性，温度变化对频率的影响小，寿命长等特点。若无源晶振达不到这些要求，其好坏则会受到影响。无源晶振是电子产品中非常重要的元器件，其好坏直接关系到整个电路的稳定性和精度。因此，我们应该在选购无源晶振时要选择优质产商的产品，避免购买低质量的产品。另外，我们还需要定期对无源晶振进行检测，并注意其周围的温度变化等影响因素，维护其良好性能。
晶振多大电阻阻值为正常
答:
晶振多大电阻阻值1M政姆为正常。
并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻，它为内部的反相器提供直流偏置电压，选值一般为1M欧姆，这没问题。但是，可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻，如果已经包含了，则外部就不要再加了。
另外，晶振的负载电容及layout设计需要做好检查，确保没有问题。
最后，常规的检查无效之后，可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。
Rd的选值：1/(2*pi*f0*C2)，f0为晶振频率。
什么叫外部晶振
外部电路上的电容会把电路的振荡频率拉低一些。在设计石英晶体振荡电路时，也应令电路上的杂散电容与外加电容合计値与晶体厂商使用的负载电容值相同。
外部晶振：由C0、C1与L1构成的并联共振。
外部晶振：频率在30MHz以下的石英晶体。
晶振并联接法
晶振电路形式很多，有的不用电容，有的并联一个电容，有的并联一对串联的电容，都是根据电路需要设计的，有的是晶体指定的负载电容，有时是为了形成一定的反馈系数维持振荡。晶振频率基本上由晶体特性决定，外部电容仅仅有一点“微调”效果，最大调节范围不会超过千分之一，因此电容不能决定振荡频率。
