电容对晶振的影响(电容和晶振的区别)
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电容和晶振的区别
电容是指在给定电位差下的电荷储藏量。
晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。
电容亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。
晶振是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。
石英晶振正确匹配方法
是通过频率和负载电容的选择来实现的。首先，明确结论是需要正确匹配石英晶振的频率和负载电容。这是因为石英晶振的频率是其工作的关键参数，需要与电路中其他元件的频率匹配，以确保系统的稳定性和准确性。同时，负载电容的选择也会影响石英晶振的性能和稳定性。原因是石英晶振的频率是由其晶片的物理特性决定的，因此在选择石英晶振时，需要根据具体的应用需求来确定所需的频率范围。而负载电容则是为了调整石英晶振的共振频率，以使其与其他电路元件相匹配。是在实际应用中，选择石英晶振的频率和负载电容需要考虑多个因素。例如，需要考虑电路的工作频率范围、稳定性要求、功耗等因素。此外，还需要根据具体的电路设计和布局来确定最佳的匹配方法，以确保石英晶振的性能和稳定性达到最佳状态。
晶振的负载电容怎么计算
振电容的选取和计算。一般来说对于晶振旁边的电容我们没有具体去选取而是用啥片子它总有个理论的电容匹配值我们就用那个了。其中负载电容CL=Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容，Cg和Cd为我们外部加的两个电容。
通常我们都是选取两个相同的电容值，它们并联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容CL.因此在实际使用过程中，我们焊接好电路后，最好测一下晶振的实际频率，如果与相差的比较远，可以通过微调外部匹配电容来使得实际频率达到我们需要的
晶振电容位置
电容应尽量靠近晶振引脚（频率输入脚与频率输出脚）设计。
晶振核心部件为石英晶体，容易受外力撞击或跌落影响而破碎。在PCB布线时最好不要把晶振设计在PCB边缘，尽量使其靠近芯片。
晶振走线需要用GND保护稳妥，远离敏感信号源，如RF及高速信号，以免频率信号受到干扰。
晶振位置远离热力源，高温会造成晶振频率偏差，因为石英晶体具有“温漂”物理特性。
10m晶振配多少电容
1.2.根据晶振的特性，一般情况下，晶振的电容值需要根据晶振的频率来确定。对于10m晶振，一般可以根据厂家提供的规格书或者相关资料来确定所需的电容值。不同的晶振频率对应的电容值可能会有所不同，因此需要根据具体情况来选择合适的电容值。3.此外，除了频率外，还有一些其他因素也会影响到电容的选择，比如电路的负载、环境温度等。因此，在确定电容值时，还需要考虑这些因素，并进行相应的调整。
晶振布线的正确方法
方法步骤：
1.确定晶振的位置：晶振的放置位置应该远离其他器件，特别是在晶振附近的走线要保持简洁，以减少噪声干扰和分布电容对晶振的影响。
2.晶振电源去耦：在晶振的电源管脚上添加去耦电容，可以选择两到三个不同容值的电容，并根据测试结果进行调整。
3.时钟输出管脚匹配：如果晶振的输出管脚是时钟信号，需要进行匹配阻抗。具体匹配阻值的确定，可以根据测试结果进行调整。
4.预留的电容：在晶振的电源管脚上预留一个较小的电容，构成一级低通滤波，以减少电源噪声对晶振的影响。
5.布线短且紧密耦合：在布线时，晶振的输入/输出端的导线要尽量短，并且要尽可能保持紧密耦合，以减少噪声干扰和分布电容对晶振的影响。
6.晶振外壳接地：在晶振的外壳上接地线，可以防止晶振向外辐射电磁波，同时也可以屏蔽外来干扰。
7.晶振下面铺地：在晶振所在的层面上铺上地线，可以防止干扰其他层。建议在布多层板时，将晶振所在的层面上铺上地线。
注意的是，以上步骤需要根据具体的电路设计和应用场景进行调整和优化，同时还要考虑晶振的规格和性能要求。在进行布线操作时，需要遵循相关的电气规则和安全规范。
