12pf晶振(晶振电容大小选取规则)
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晶振怎么区分大小
晶振的大小通常可以通过以下几个方面来区分：
1.直径：晶振的直径是指其外径，通常用D表示。一般来说，直径越大，晶振的尺寸也就越大。
2.长度：晶振的长度是指其从芯片表面到基座的长度，通常用L表示。一般来说，长度越大，晶振的尺寸也就越大。
3.体积：晶振的体积是指其整个体积，包括芯片和基座部分。一般来说，体积越大，晶振的尺寸也就越大。
4.重量：晶振的重量是指其重量，通常用F表示。一般来说，重量越大，晶振的尺寸也就越大。
以上是一些常见的区分大小的方法，但是并不是所有晶振都会按照这些标准进行区分，有些晶振的大小可能会因为制造工艺的不同而有所变化。
晶振电容大小选取规则
负载电容的大小不是固定的，需要晶振的规格要求而定，晶振的规格书都标有负载电容的要求，一定要看清楚规格书，选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF，晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了
选择负载电容的要注意事项：
选择NPO/G0G材质，温度和高频特性更好
公差当然是尽量选择小的，最好选择2%或者1%的。
晶振的供电电压
因型号规格的多样性,有源晶振所需供电电压也有所不同,归纳如下:
常见DIP插件式封装的有源晶振:3.3V和5V。插件式有源晶振常见于半尺寸DIP8和全尺寸DIP14两种封装。信号输出模式主要为方波(CMOS)和正弦波(sinewave)。输出负载有15PF或30PF。常见SMD贴片式封装有源晶振:1.8V、2.8V、3.0V和3.3V。一般体积越小,功耗越小,电压也越低。信号输出模式主要为方波(CMOS),输出负载以15PF为主。温补晶振(TCXO)则以削峰正弦波(clippedsinewave)为主,输出负载:10KΩ//10pF。注意:3.3V晶振用在5V电路上有可能会烧坏晶振,晶振如果是5V供电,根据内部电路设计的不同,有的可以使用3.3V供电,有的则不可以。
另外,一般3.3V供电的晶振有一个电压允许范围,比如3.3V供电的晶振，3V供电也是可以使用的，但不能低到2.8V，这些都是根据晶振特性来确定的。针对高端晶振而言，最好是确保供电电压与规格书所要求电压相符合。
晶振坏了的症状和表现
1若有损坏，则可能导致USB接口失灵等问题。
2、14.318兆赫兹时钟晶振，用于时钟芯片。14.318兆赫兹晶振不起振，会影响主板_上电后全板无复位。起振波形不正常，还有可能导致主机开机不稳定的现象发生。
3、24.576兆赫兹音频晶振，与声卡芯片相连。晶振不起振可能会出现无音频信号，抓不住声卡等问题。
晶振输出电压
因型号规格的多样性,有源晶振所需供电电压也有所不同,归纳如下:
常见DIP插件式封装的有源晶振:3.3V和5V。插件式有源晶振常见于半尺寸DIP8和全尺寸DIP14两种封装。信号输出模式主要为方波(CMOS)和正弦波(sinewave)。输出负载有15PF或30PF。常见SMD贴片式封装有源晶振:1.8V、2.8V、3.0V和3.3V。一般体积越小,功耗越小,电压也越低。信号输出模式主要为方波(CMOS),输出负载以15PF为主。温补晶振(TCXO)则以削峰正弦波(clippedsinewave)为主,输出负载:10KΩ//10pF。注意:3.3V晶振用在5V电路上有可能会烧坏晶振,晶振如果是5V供电,根据内部电路设计的不同,有的可以使用3.3V供电,有的则不可以。
另外,一般3.3V供电的晶振有一个电压允许范围,比如3.3V
proteus晶振参数设置
在Proteus中，进行晶振参数设置需要进入器件库中找到对应的晶振元件，然后双击打开属性窗口，在其中选择合适的晶振频率和电容值进行设置。一般来说，晶振频率需要根据实际需要进行选择，电容值则需要根据晶振元件的要求进行匹配。如果需要使用自定义的晶振元件，也可以通过添加新元件的方式来进行设置。在设置完成后，还需要进行电路仿真和实际测试来验证晶振的正确性和稳定性。
