晶振负载电容过大(有源晶振的负载电容重要吗)
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晶振频率偏高怎么回事
1.晶体单元的实际驱动电平超过其指定的最大值.
2.实际负载电容与规范中的指定值不同，
3.振荡不正常，晶体单元的实际驱动电平超过其指定的最大值，实际负载电容与规范中的指定值不同，措施：调整外部负载电容
为了改变外部负载电容,实际振荡频率变低.如果外部负载电容很大,请注意振荡裕度会很低.通过大的外部负载电容,振荡幅度可能很小.
晶振怎么配电容呢
晶振配电容芯片晶振引脚的内部通常是一个反相器，芯片晶振的两个引脚之间还需要连接一个电阻，使反相器在振荡初始时处与线性状态，但这个电阻一般集成在芯片的内部，反相器就好像一个有很大增益的放大器，为了方便起振，晶振连接在芯片晶振引脚的输入和输出之间，等效为一个并联谐振回路，振荡的频率就是石英晶振的并联谐振频率。
晶振旁边的两个电容需要接地,，其实就是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点，以分压点为参考点，振荡引脚的输入和输出是反相的，但从晶振两端来看，形成一个正反馈来保证电路能够持续振荡。
晶振的负载电容怎么计算
振电容的选取和计算。一般来说对于晶振旁边的电容我们没有具体去选取而是用啥片子它总有个理论的电容匹配值我们就用那个了。其中负载电容CL=Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容，Cg和Cd为我们外部加的两个电容。
通常我们都是选取两个相同的电容值，它们并联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容CL.因此在实际使用过程中，我们焊接好电路后，最好测一下晶振的实际频率，如果与相差的比较远，可以通过微调外部匹配电容来使得实际频率达到我们需要的
有源晶振的负载电容重要吗***
有源晶振属于主动元器件，不需要考虑负载电容是否匹配，无源晶振需要考虑负载电容的匹配问题。
什么是负载电容所谓负载电容，是指晶振的两条引脚与单片机相连时内部及外部所有有效电容之和，可以理解成晶振和一个电容串联在电路中。在学单片机时，单片机所使用的无源晶振必须连接两个外部电容才可以起振，所以负载电容对无源晶振而言很重要。
无源晶振的负载电容匹配前文说过，无源晶振需要匹配负载电容，在使用无源晶振时需要两个15-30pF的瓷片电容连接在晶振的两个引脚，另一端接地，如下图所示。
这两个电容的选取需要根据数据手册而定，一般而言，如果没有具体说明其范围在15-30pF之间。在使用DS1302时钟芯片设计电路时，所用的晶振为32.768KHz，要求晶振的负载匹配电容为6pF左右，否则走时可能不准确，我以前吃过这个亏。
有源晶振不需要负载电容无源晶振不需要供电，只需要外接两个电容即可起振。而有源晶振是需要供电的，也不需要负载电容，也就不需要匹配负载电容。有源晶振与单片机连接的电路图如下所示。
有源晶振有四个引脚，其中两个引脚接电源，一个引脚为信号输出，另一个引脚接地或者悬空。
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8m晶振配多大的电容
在选择晶振外围元器件时，需要考虑晶振型号、频率、电容等因素。通常，晶振带有一个额定的负载电容范围，一般为其频率的20%~40%。比如，如果您的8MHz晶振额定的负载电容为20pF，那么您可以选择两个10pF或一个22pF的电容进行匹配。不同晶振型号和使用场景可能需要不同的电容值，因此最好查看晶振的手册或联系厂商以获取最准确的外围元器件参数。
晶振电路中的两个小电容要怎样选取
晶振电路中的两个小电容叫做晶振负载电容晶振的负载电容大小一般是几个皮法到几十个皮法，需要选用NPO/G0G材质的电容
晶振负载电容怎么确定大小？负载电容的大小不是固定的，需要晶振的规格要求而定，晶振的规格书都标有负载电容的要求，一定要看清楚规格书，选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF，晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了
选择负载电容的要注意事项：
选择NPO/G0G材质，温度和高频特性更好公差当然是尽量选择小的，最好选择2%或者1%的。欢迎关注@电子产品设计方案，一起享受分享与学习的乐趣！关注我成为朋友一起交流、学习哦记得点赞和评论哦！
