8mhz 晶振 电容(8m晶振配多大的电容)
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8m晶振配多大的电容
在选择晶振外围元器件时，需要考虑晶振型号、频率、电容等因素。通常，晶振带有一个额定的负载电容范围，一般为其频率的20%~40%。比如，如果您的8MHz晶振额定的负载电容为20pF，那么您可以选择两个10pF或一个22pF的电容进行匹配。不同晶振型号和使用场景可能需要不同的电容值，因此最好查看晶振的手册或联系厂商以获取最准确的外围元器件参数。
主板晶振的谐振电容是什么摸样的
晶振两边的谐振电容也称负载电容。晶体外壳所标注的频率，既不是串联谐振频率也不是并联谐振频率，而是在外接负载电容时测定的频率，数值界乎于串联谐振频率与并联谐振频率之间。当然，你也可以这样理解：晶振的标称值在测试时有一个“负载电容”的条件，在工作时满足这个条件，振荡频率才与标称值一致,也就是说，只有连接合适的电容才能满足晶振的起振要求，晶振才能正常工作。希望对你有所帮助。
7PF的时钟晶振选择多大的负载电容
选择时钟晶振的负载电容需要考虑多个因素。一般来说，负载电容的大小会影响晶振的频率稳定性和启动时间。对于7PF的时钟晶振，建议选择一个合适的负载电容，通常在10-30PF之间。具体的选择取决于晶振的制造商提供的规格和推荐值。同时，还需要考虑电路板的布局和环境条件等因素，以确保晶振的性能和可靠性。最好参考晶振的数据手册或咨询相关专业人士，以获得准确的建议。
晶振电容大小选取规则
负载电容的大小不是固定的，需要晶振的规格要求而定，晶振的规格书都标有负载电容的要求，一定要看清楚规格书，选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF，晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了
选择负载电容的要注意事项：
选择NPO/G0G材质，温度和高频特性更好
公差当然是尽量选择小的，最好选择2%或者1%的。
内部晶振为什么要接12mhz的
内部晶振需要接12MHz的晶振，原因如下：首先，12MHz的晶振是一种常见的频率，它可以提供稳定的计时基准，是数字逻辑电路中的基本时钟源。在许多微控制器和处理器中，需要一个稳定的时钟源来驱动内部的数字逻辑电路。其次，晶振的频率越高，系统的处理速度就越快。因此，对于需要高速处理的应用，选择高频率的晶振是很重要的。12MHz的晶振是一种折中的选择，它能够满足大多数应用的需求，并且具有较好的稳定性和可靠性。最后，不同型号的内部晶振可能有不同的工作电压和负载电容要求。因此，在选择晶振时，需要根据具体的内部晶振型号的规格书进行配置。总之，选择适合的晶振频率可以提高系统的稳定性和可靠性，并且能够保证系统的正常运行。以上信息仅供参考，如有需要，建议咨询相关技术人员。
晶振电路中如何选择电容C1C2
晶振旁边两个小电容是负载电容
在使用外部晶振作为芯片的系钟时，晶振需要串联两个负载小容。另小瞧这两个小电容哦，没有它们，晶振就没法工作了。
晶振旁边的负载电容有什么作用？芯片晶振引脚的内部通常是一个反相器，芯片晶振的两个引脚之间还需要连接一个电阻，使反相器在振荡初始时处与线性状态，但这个电阻一般集成在芯片的内部，反相器就好像一个有很大增益的放大器，为了方便起振，晶振连接在芯片晶振引脚的输入和输出之间，等效为一个并联谐振回路，振荡的频率就是石英晶振的并联谐振频率。晶振旁边的两个电容需要接地,，其实就是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点，以分压点为参考点，振荡引脚的输入和输出是反相的，但从晶振两端来看，形成一个正反馈来保证电路能够持续振荡。芯片设计的时候，其实这两个电容就已经形成了，一般是两个的容量相等，但容量比较小，不一定适合很宽的振荡频率范围，所以需要外接两个负载电容。晶振旁边的负载电容怎么选择？负载电容需要根据晶振的规格来选择，晶振的规格书都会标示出负载电容的大小，一般都是几pF到几十pF。假如晶振规格要求用20pF的负载电容，因为两个负载电容是串联的，理论上需要选择两个40pF的负载电容。实际上MCU内部和PCB的线路上都会有一定的寄生电容，晶振的负载电容=[(C1*C2)/(C1+C2)]+Cic+△C，Cic+△C为MCU内部电容和PCB线路的寄生电容，一般是3~5pF，所以，在实际应用中会考虑用30pF~36pF的负载电容。晶振和负载电容布线注意事项为了让晶振能够可靠、稳定的起振，我们在布线时，需要让晶振和负载电容尽量的靠近芯片的晶振引脚。
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