单片机 串口晶振(关于单片机串口通信时的同步时钟信号)
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1T和12T单片机的区别
早期的标准51单片机，其机器周期为12倍系统时钟周期；随着单片机的高速发展，对运算速度要求逐渐加大，各单片机厂家纷纷出台高速单片机，如microchip单片机采用4倍系统时钟，宏晶的高速单片机为单倍系统时钟……后来人们把这些分别称为12T、4T、1T……
关于单片机串口通信时的同步时钟信号
串口通信时钟是由单片机的晶振输入后,内部产生的,每个单片机都有自己的串口控制寄存器,在编程的时候只要对其进行正确的控制就可以设置串口通信的各种工作模式,每个模式会有自己的波特率,即你说的时钟频率.波特率一般用9600,串口通信有自己的协议,在单片机教学的课程里都会有,寄存器的编程也可以在单片机的教程里找到,不会太难的RXD,TXD引脚一般固定,因为其他引脚没有产生你说的时钟的内部机制两机通信的时候a的RXD接b的TXD,a的TXD接b的RXD
单片机的晶振频率怎么确定
以51单片机为例。常用晶振频率是1.2M-12M，一般情况下，一个机器周期是12个时钟周期，所以用12M时，一个机器周期是1US，好计算，而且速度相对是最高的，当然现在也有更高频率的单片机。
而进行通信是，一般选择11.0592M，12M频率进行串行通信不容易实现标准的波特率，比如9600，4800，而11.0592M计算时正好可以得到，因此在有通信接口的单片机中，一般选11.0592M
计算一下就知道了。如我们要得到9600的波特率，晶振为11.0592M和12M，定时器1为模式2，SMOD设为1，分别看看那所要求的TH1为何值。代入公式：11.0592M9600＝(2÷32)×((11.0592M/12)/(256-TH1))TH1＝25012M9600＝(2÷32)×((12M/12)/(256-TH1))TH1≈249.49上面的计算可以看出使用12M晶体的时候计算出来的TH1不为整数，而TH1的值只能取整数，这样它就会有一定的误差存在不能产生精确的9600波特率。当然一定的误差是可以在使用中被接受的，就算使用11.0592M的晶体振荡器也会因晶体本身所存在的误差使波特率产生误差，但晶体本身的误差对波特率的影响是十分之小的，可以忽略不计。
单片机的电容是什么
单片机晶振的电容是瓷片电容。瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。
电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。
单片机8051的晶振频率怎么算
单片机8051的晶振频率可以通过以下公式计算：晶振频率=2*周期时间的倒数。其中，周期时间等于晶振周期的倒数。晶振周期可以通过晶振的频率除以2得到。例如，如果晶振频率为12MHz，则晶振周期为1/12MHz，周期时间为2*(1/12MHz)=166.67ns。因此，单片机8051的晶振频率为12MHz。
单片机最小系统晶振参数
单片机最小系统的晶振参数通常包括频率和电容值。晶振的频率决定了单片机的时钟速度，而电容值则与晶振的稳定性有关。一般情况下，晶振的频率范围在1~20MHz之间，而电容值则根据具体的单片机型号和晶振频率来选择，一般常见的值有15pF、20pF、30pF等。此外，还有一些其他的参数，如负载电容、驱动能力等，也会影响晶振的稳定性和性能表现。在选择单片机最小系统的晶振参数时，需要根据具体的单片机型号和应用需求来综合考虑。
