晶振主要参数(晶振的功率)
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晶振坏了有什么现象吗
晶振坏了的特征现象有哪些
如今的电子科技时代，我们已离不开生活中的智能产品，尤其是手机，在这个移动支付的快节奏城市，也许你可以试试一天没有手机的生活，恐怕会有诸多不便。而手机却依赖它，一颗比米粒还要小的晶振，决定了整块电路板的“生死”。如果它不运作，整个系统就会瘫痪，在行业中被人们堪比为电路板的心脏。
在工作电路中，如果晶振损坏会有哪些特征现象呢？晶振损坏分为两大类，一是彻底停振，二是具有不稳定性
一，彻底停振
如果晶振停振，对手机而言可能无法正常开机，就像心脏突然停止跳动，以该晶振为时钟信号的电路都会停顿罢工
二，具有不稳定性
引起不稳定性的原因有很多，可能是晶振质量问题，更多原因则是晶振参数与电路参数不相匹配，例如系统要求精度20ppm，而晶振参数只有50ppm；再或者匹配电容要求12PF，而实际电容只有9PF诸多原因。
彻底损坏时的解决办法
彻底损坏时，可将其拆下，与正常同型号集成电路对比测其每一引脚对地的正、反向电阻，总能找到其中一只或几只引脚阻值异常；
具有不稳定性的解决办法
咨询的晶振供应商，算出正确电容匹配值更换晶振，或者是更换外挂电容。更换精度合适的晶振，如果是其它问题引起的不稳定，用无水酒精冷却被怀疑的集成电路，如果故障发生时间推迟或不再发生故障，即可判定。通常只能更换新集成电路来排除。
晶振对时间的影响
晶振的频率若偏高,时钟就会偏快,反之,若频率偏低,时钟就会偏快。时钟是否能为我们提供精准时间,完全取决于这颗晶振32.768KHz本身的性能及工作状态。
若晶振各项电气参数合格,时间仍不准,就需要确认一下它在实际工作中是否发生了频率偏差,及是否考虑更换外接电容值与之实现更佳匹配。
晶振怎么标识
晶振在电路板上用X表示。
晶振一般指晶体振荡器。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
一、相关应用
1、通用晶体振荡器，用于各种电路中，产生振荡频率。
2、时钟脉冲用石英晶体谐振器，与其它元件配合产生标准脉冲信号，广泛用于数字电路中。
3、微处理器用石英晶体谐振器。
4、CTVVTR用石英晶体谐振器。
5、钟表用石英晶体振荡器。
二、发展趋势
1、小型化、薄片化和片式化：为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求，石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。例如TCXO这类器件的体积缩小了30～100倍。采用SMD封装的TCXO厚度不足2mm，目前5×3mm尺寸的器件已经上市。
2、高精度与高稳定度，无补偿式晶体振荡器总精度也能达到±25ppm，VCXO的频率稳定度在10～7℃范围内一般可达±20～100ppm，而OCXO在同一温度范围内频率稳定度一般为±0.0001～5ppm，VCXO控制在±25ppm以下。
3、低噪声，高频化，在GPS通信系统中是不允许频率颤抖的，相位噪声是表征振荡器频率颤抖的一个重要参数。OCXO主流产品的相位噪声性能有很大改善。除VCXO外，其它类型的晶体振荡器最高输出频率不超过200MHz。
例如用于GSM等移动电话的UCV4系列压控振荡器，其频率为650～1700MHz，电源电压2.2～3.3V，工作电流8～10mA。
4、低功耗，快速启动，低电压工作，低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。电源电压一般为3.3V。许多TCXO和VCXO产品，电流损耗不超过2mA。石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。
例如日本精工生产的VG—2320SC型VCXO，在±0.1ppm规定值范围条件下，频率稳定时间小于4ms。日本东京陶瓷公司生产的SMDTCXO，在振荡启动4ms后则可达到额定值的90%。OAK公司的10～25MHz的OCXO产品，在预热5分钟后，则能达到±0.01ppm的稳定度。
proteus晶振参数设置
在Proteus中，进行晶振参数设置需要进入器件库中找到对应的晶振元件，然后双击打开属性窗口，在其中选择合适的晶振频率和电容值进行设置。一般来说，晶振频率需要根据实际需要进行选择，电容值则需要根据晶振元件的要求进行匹配。如果需要使用自定义的晶振元件，也可以通过添加新元件的方式来进行设置。在设置完成后，还需要进行电路仿真和实际测试来验证晶振的正确性和稳定性。
晶振26和27区别
答:
晶振26和27区别是前者频率是26mhz，后者频率是27mhz。
对晶振这样高精度，小型化，甚至在电路板中起着"心脏"般重要角色的精密元器件，对料号的一致性要求非常之高，例如HXO-36B，HXO-36A晶振，也许只是一个字母的差异，实则上关乎到晶振的其它指标有所不同。
它们通常所表示的参数有晶振的负载电容，精度误差，工作电压，频率范围，输出模式等。
晶振的功率
晶振激励功率设计参数为10μW，最大值为100μW。
切不可只为了改变晶振的输出频率，任意改变电路输入给晶振的功率的大小。激励功率太小或太大，都会影响到晶振的的正常使用。负性阻抗太小，会直接影响晶振是否起振，负性阻抗太大则会造成晶振跳频或损坏。
