本文目录

1. 晶振温漂指标是多少
2. 晶振电容位置

晶振温漂指标是多少

晶振的温漂指标是一个重要的性能参数，它表示晶振频率随温度变化的漂移量。根据不同的晶振类型和应用场景，温漂指标的范围也会有所不同。一般来说，普通的晶振温漂在±10-30ppm/℃左右，而一些高精度、高稳定的晶振则可以将温漂指标控制在±0.5-2ppm/℃以内。因此，在选择晶振时，需要根据具体的应用场景和需求来选择合适的温漂指标。同时，为了减小晶振温漂的影响，还可以采用一些补偿技术，如温度补偿电路、数字补偿技术等。

晶振电容位置

电容应尽量靠近晶振引脚（频率输入脚与频率输出脚）设计。

晶振核心部件为石英晶体，容易受外力撞击或跌落影响而破碎。在PCB布线时最好不要把晶振设计在PCB边缘，尽量使其靠近芯片。

晶振走线需要用GND保护稳妥，远离敏感信号源，如RF及高速信号，以免频率信号受到干扰。

晶振位置远离热力源，高温会造成晶振频率偏差，因为石英晶体具有“温漂”物理特性。