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晶振 温漂(晶振温漂指标是多少)

压电侠1年前 (2024-03-11)压电资讯241

本文目录

  1. 晶振温漂指标是多少
  2. 晶振电容位置

晶振温漂指标是多少

晶振的温漂指标是一个重要的性能参数,它表示晶振频率随温度变化的漂移量。根据不同的晶振类型和应用场景,温漂指标的范围也会有所不同。一般来说,普通的晶振温漂在±10-30ppm/℃左右,而一些高精度、高稳定的晶振则可以将温漂指标控制在±0.5-2ppm/℃以内。因此,在选择晶振时,需要根据具体的应用场景和需求来选择合适的温漂指标。同时,为了减小晶振温漂的影响,还可以采用一些补偿技术,如温度补偿电路、数字补偿技术等。

晶振电容位置

电容应尽量靠近晶振引脚(频率输入脚与频率输出脚)设计。

晶振核心部件为石英晶体,容易受外力撞击或跌落影响而破碎。在PCB布线时最好不要把晶振设计在PCB边缘,尽量使其靠近芯片。

晶振走线需要用GND保护稳妥,远离敏感信号源,如RF及高速信号,以免频率信号受到干扰。

晶振位置远离热力源,高温会造成晶振频率偏差,因为石英晶体具有“温漂”物理特性。

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