爱普生S1X8H000和S1K8H000系列单芯片DMOS-ASIC1
与此同时，随着世界越来越关注应对全球变暖的努力为了实现可持续发展，半导体市场正在寻求解决电力损失的问题。对半导体的需求正在上升即使与高压兼容，也能有效利用电力的组件以及高电流。此外，对低功耗半导体元件的需求由于家用电器的持续扩张，减少电力损失的速度正在加快新兴国家的电子市场以及电动汽车、混合动力汽车的增长，以及其他下一代汽车。
为了满足这一需求并解决环境问题，爱普生决定进入市场用于支持高电压和高电流的DMOS ASIC。这是一个公司可以利用低功耗CMOS工艺和DMOS工艺技术，在内部开发和生产供内部使用的芯片过程中积累的。爱普生已经积累了一系列基于知识产权的IP内核，这些内核是该公司为自己的成品开发的。爱普生将使用基于四十年经验的ASIC开发方法将产品商业化，为行业提供长期稳定的供应和灵活的设计。
爱普生将首先提供S1X8H000和S1K8H000系列低功耗ASIC产品（嵌入式阵列和标准单元），结合了0.15微米CMOS和DMOS技术以支持高电压和高电流，并且还可以集成控制逻辑电路实现低功耗。
爱普生利用其独特的电路工程技术来解决以前的难题集成模拟控制元件。功率半导体元件、专用IC和高
预先提供占据板空间的电压和高电流组件作为IP集成了由客户设计的芯片、内核甚至逻辑电路以创建单芯片DMOS ASIC。这减轻了采购多个零件的需要，减少了零件的数量，并通过优化控制电流消耗来节省电力，这有助于客户使产品更小，降低功耗，降低开发成本。这些产品非常适合双向通信网络电路的广泛应用，如IO-Link、高压开关、开关电源、具有内置控制功能的电机驱动器和用于驱动电机的H桥。
产品特点
-与传统的高压MOS工艺相比，DMOS晶体管的导通电阻降低了50%或更多，降低了功耗，在保持高压的同时实现了高效率。
-0.15微米CMOS逻辑电路、DMOS工艺、非易失性存储器等可以集成在芯片上。
-许多功能可以作为IP核提供。
IP核示例*：具有过电流检测功能的DMOS晶体管、H桥电路、LDO、，
EEPROM、SRAM、安全功能欠压检测、过压检测、发热检测
*爱普生计划开发一系列额外的IP核。
外形规格
系统架构
1 ASIC：专用集成电路。ASIC是一种电子元件，是任何集成电路其将用于特定应用的多个功能的电路组合到单个封装中。爱普生的ASIC产品线包括多个系列的门阵列、嵌入式阵列和标准单元，具体取决于定制的程度。
2 IP核（知识产权核）：用于配置LSI的电路信息块，尤其是提供特定功能。
3 DMOS（双扩散MOSFET）：一种从表面到表面使用大量电力的晶体管并且具有通过在垂直方向上传递大电流来实现高耐压的结构晶片的方向。DMOS通常用于几十秒到几百秒之间的耐压范围伏特。
4 CMOS（互补MOS）：一种使用互补对n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的逻辑电路MOS晶体管，可以通过改变添加到半导体中的杂质来创建。电力消耗CMOS半导体的厚度可以远低于仅由n型或仅由p型组成的半导体的厚度MOS晶体管。
