石英晶振 动态电容(晶振电容位置)
本文目录
无源晶振如何匹配电容
查它的型号手册，有“负载电容”的规范。通常有3种规格：
1、高频晶振，30pF；
2、低频晶振，100pF；
3、串联晶振，无穷大（即不用电容）。根据振荡需要，可以把负载电容分解为几个，例如用100pF串联47pF代替30pF负载电容，可以与晶体管构成电容三点式振荡回路。
晶振电容位置
电容应尽量靠近晶振引脚（频率输入脚与频率输出脚）设计。
晶振核心部件为石英晶体，容易受外力撞击或跌落影响而破碎。在PCB布线时最好不要把晶振设计在PCB边缘，尽量使其靠近芯片。
晶振走线需要用GND保护稳妥，远离敏感信号源，如RF及高速信号，以免频率信号受到干扰。
晶振位置远离热力源，高温会造成晶振频率偏差，因为石英晶体具有“温漂”物理特性。
晶振电容大小选取规则
负载电容的大小不是固定的，需要晶振的规格要求而定，晶振的规格书都标有负载电容的要求，一定要看清楚规格书，选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF，晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了
选择负载电容的要注意事项：
选择NPO/G0G材质，温度和高频特性更好
公差当然是尽量选择小的，最好选择2%或者1%的。
晶振电路中的两个小电容要怎样选取
晶振电路中的两个小电容叫做晶振负载电容晶振的负载电容大小一般是几个皮法到几十个皮法，需要选用NPO/G0G材质的电容
晶振负载电容怎么确定大小？负载电容的大小不是固定的，需要晶振的规格要求而定，晶振的规格书都标有负载电容的要求，一定要看清楚规格书，选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF，晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了
选择负载电容的要注意事项：
选择NPO/G0G材质，温度和高频特性更好公差当然是尽量选择小的，最好选择2%或者1%的。欢迎关注@电子产品设计方案，一起享受分享与学习的乐趣！关注我成为朋友一起交流、学习哦记得点赞和评论哦！
晶振起振时间原理
晶振的起振时间与外接电容值的大小存在一定关系，原理是外接电容越大，相对耗损的电流就越多，即作用于晶振本身的激励功率变小，晶振的起振时间就会增加。
举一个偏激的例子，若晶振外接电容应为20PF，我们却采用电容300PF，晶振可能就根本无法起振了，更不用提及晶振的起振时间长短的问题。
汽车电脑晶振有多少种
4种。
按制作材料分类：可分为石英晶振和陶瓷晶振。按应用特性分类：可分为串联谐振型晶振和并联谐振型晶振。按负载电容特性分类：可分为低负载电容型晶振和高负载电容型晶振。按谐振频率精度分类：可分为高精度型晶振、中精度型晶振及普通型晶振。按外形分类：可分为长方形晶振、圆柱形晶振、椭圆形晶振。
