hcoms晶振电路(晶振并联接法)
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晶振是如何起振的
1.无源晶振是有2个引脚的无极性元件，需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来
2.有源晶振有4只引脚，是一个完整的振荡器，其中除了石英晶体外，还有晶体管和阻容元件主要看你应用到的电路，如果有时钟电路，就用无源，否则就用有源
无源晶体需要用DSP片内的振荡器，无源晶体没有电压的问题，信号电平是可变的，也就是说是根据起振电路来决定的，同样的晶体可以适用于多种电压，可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP，而且价格通常也较低，因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体，这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者。
有源晶振不需要DSP的内部振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可），不需要复杂的配置。电路有个点标记的为1脚，按逆时针（管脚向下）分别为2、3、4。有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。相对于无源晶体，有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出电平，灵活性较差，而且价格高。
串并联晶振电路怎么判断
若把晶振等效为一电感LD时，该电路即成为电容三点式振荡器，只有频率在晶振的fo与f∞之间时，晶振才会呈现出感抗特性；串联谐振电路与电容三点式振荡电路十分相似，区别体现在反馈信号不是直连至半导体管的发射端，而是经晶振接入实现正反馈。
若LC选频回路的振荡频率等于晶振的串联谐振频率，晶振就会呈现很小的电阻，实现正反馈最强，满足振荡条件，振荡电路便可起振。
晶振并联接法
晶振电路形式很多，有的不用电容，有的并联一个电容，有的并联一对串联的电容，都是根据电路需要设计的，有的是晶体指定的负载电容，有时是为了形成一定的反馈系数维持振荡。晶振频率基本上由晶体特性决定，外部电容仅仅有一点“微调”效果，最大调节范围不会超过千分之一，因此电容不能决定振荡频率。
51单片机的晶振电路组成
晶振电路严格的说是有三种： 1、最普通的模式，也就是外接无源晶振，然后每个晶振的一个脚都接一个20-30pF的电容到地。 2、外接振荡源的模式，也就是利用有源晶振，脉冲输出后直接接XTAL1，然后XTAL2接地。 3、内置RC振荡电路法，有一些单片机比如AVR系列的，都内置有RC振荡电路，可以实现内部1M，2M，4M，8M振荡电路。不过我个人感觉这种振荡电路的精度比如外接晶振。
stm32晶振电路中电阻作用
1、配合IC内部电路组成负反馈、移相,使放大器工作在线性区
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。这个电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区,以获得增益,在饱和区是没有增益的,而没有增益是无法振荡的.如果用芯片中的反相器来作振荡,必须外接这个电阻,对于CMOS而言可以是1M以上,对于TTL则比较复杂,视不同类型(S,LS...)而定.如果是芯片指定的晶振引脚,如在某些微处理器中,常常可以不加,因为芯片内部已经制作了。
2、晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动；
晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drivelevel调整用。用来调整drivelevel和发振余裕度。
3、并联降低谐振阻抗,使谐振器易启动；
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,并联降低谐振阻抗,使谐振器易启动；
电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。
晶振用什么电路最好
晶振一般用在数学电路最好
