有源晶振 负载(晶振都要接负载电容吗负载电容起什么作用)
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晶振输出电压
因型号规格的多样性,有源晶振所需供电电压也有所不同,归纳如下:
常见DIP插件式封装的有源晶振:3.3V和5V。插件式有源晶振常见于半尺寸DIP8和全尺寸DIP14两种封装。信号输出模式主要为方波(CMOS)和正弦波(sinewave)。输出负载有15PF或30PF。常见SMD贴片式封装有源晶振:1.8V、2.8V、3.0V和3.3V。一般体积越小,功耗越小,电压也越低。信号输出模式主要为方波(CMOS),输出负载以15PF为主。温补晶振(TCXO)则以削峰正弦波(clippedsinewave)为主,输出负载:10KΩ//10pF。注意:3.3V晶振用在5V电路上有可能会烧坏晶振,晶振如果是5V供电,根据内部电路设计的不同,有的可以使用3.3V供电,有的则不可以。
另外,一般3.3V供电的晶振有一个电压允许范围,比如3.3V
晶振都要接负载电容吗负载电容起什么作用
晶振是和电容配合使用的，这里的电容是根据充电时间是极好的，不可不接。
晶振的供电电压
因型号规格的多样性,有源晶振所需供电电压也有所不同,归纳如下:
常见DIP插件式封装的有源晶振:3.3V和5V。插件式有源晶振常见于半尺寸DIP8和全尺寸DIP14两种封装。信号输出模式主要为方波(CMOS)和正弦波(sinewave)。输出负载有15PF或30PF。常见SMD贴片式封装有源晶振:1.8V、2.8V、3.0V和3.3V。一般体积越小,功耗越小,电压也越低。信号输出模式主要为方波(CMOS),输出负载以15PF为主。温补晶振(TCXO)则以削峰正弦波(clippedsinewave)为主,输出负载:10KΩ//10pF。注意:3.3V晶振用在5V电路上有可能会烧坏晶振,晶振如果是5V供电,根据内部电路设计的不同,有的可以使用3.3V供电,有的则不可以。
另外,一般3.3V供电的晶振有一个电压允许范围,比如3.3V供电的晶振，3V供电也是可以使用的，但不能低到2.8V，这些都是根据晶振特性来确定的。针对高端晶振而言，最好是确保供电电压与规格书所要求电压相符合。
晶振发烫是什么原因
1.晶振发烫的原因是由于晶振器内部的电子元件在工作过程中产生了热量。2.当晶振器工作时，内部的电子元件会不断地进行振荡，产生高频电磁波。这个过程中，电子元件会有一定的能量损耗，转化为热能，导致晶振器发烫。3.此外，晶振器的工作环境也会对其发烫产生影响。如果晶振器周围的温度较高，或者通风不良，热量无法及时散发，也会导致晶振器发烫现象加剧。为了避免晶振器过热而影响其正常工作，可以采取一些措施，如合理设计散热结构、增加散热片等。此外，定期检查晶振器的工作状态，确保其正常运行也是非常重要的。
无源晶振如何匹配电容
查它的型号手册，有“负载电容”的规范。通常有3种规格：
1、高频晶振，30pF；
2、低频晶振，100pF；
3、串联晶振，无穷大（即不用电容）。根据振荡需要，可以把负载电容分解为几个，例如用100pF串联47pF代替30pF负载电容，可以与晶体管构成电容三点式振荡回路。
无源晶振的电容值什么意思
晶振旁边接的是负载电容，可以帮助起振、微调频率，使晶振工作在其标称频率附近。晶振的负载电容值CL=C+CS，CL为规格书中晶振的负载电容值，C为电路中外接的电容值(一般由两颗电容通过串并联关系得到)，CS为电路的分布电容,这和电路的设计,元器件分布等因素有关，值不确定,一般为3到5PF。
