本文目录

1. 晶振电路中如何选择电容C1C2
2. 电路无源晶振引脚电压的问题如下描述
3. 有源晶振和无源晶振的引脚定义
4. 晶振电路中的两个小电容要怎样选取
5. Multisim里有有源晶振么
6. RE实验用无源晶振好还是有源晶振好

晶振电路中如何选择电容C1C2

晶振旁边两个小电容是负载电容

在使用外部晶振作为芯片的系钟时，晶振需要串联两个负载小容。另小瞧这两个小电容哦，没有它们，晶振就没法工作了。

晶振旁边的负载电容有什么作用？芯片晶振引脚的内部通常是一个反相器，芯片晶振的两个引脚之间还需要连接一个电阻，使反相器在振荡初始时处与线性状态，但这个电阻一般集成在芯片的内部，反相器就好像一个有很大增益的放大器，为了方便起振，晶振连接在芯片晶振引脚的输入和输出之间，等效为一个并联谐振回路，振荡的频率就是石英晶振的并联谐振频率。晶振旁边的两个电容需要接地,，其实就是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点，以分压点为参考点，振荡引脚的输入和输出是反相的，但从晶振两端来看，形成一个正反馈来保证电路能够持续振荡。芯片设计的时候，其实这两个电容就已经形成了，一般是两个的容量相等，但容量比较小，不一定适合很宽的振荡频率范围，所以需要外接两个负载电容。晶振旁边的负载电容怎么选择？负载电容需要根据晶振的规格来选择，晶振的规格书都会标示出负载电容的大小，一般都是几pF到几十pF。假如晶振规格要求用20pF的负载电容，因为两个负载电容是串联的，理论上需要选择两个40pF的负载电容。实际上MCU内部和PCB的线路上都会有一定的寄生电容，晶振的负载电容=[(C1*C2)/(C1+C2)]+Cic+△C，Cic+△C为MCU内部电容和PCB线路的寄生电容，一般是3~5pF，所以，在实际应用中会考虑用30pF~36pF的负载电容。晶振和负载电容布线注意事项

为了让晶振能够可靠、稳定的起振，我们在布线时，需要让晶振和负载电容尽量的靠近芯片的晶振引脚。

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电路无源晶振引脚电压的问题如下描述

根据描述晶振应该是起振的并频率一致，所以芯片损坏的可能性最大。

有源晶振和无源晶振的引脚定义

###有源晶振有源晶振引脚定义：1.引脚1：VCC，电源引脚，负责连接电源电压的引脚；2.引脚2：Ground，地引脚，负责连接导体和电源电压之间的导线；3.引脚3：OUT，负责输出信号的引脚；4.引脚4：IN，输入信号的引脚；###无源晶振无源晶振引脚定义：1.引脚1：GROUND，地引脚，负责连接导体和电源电压之间的导线；2.引脚2：IN，负责输入信号的引脚；3.引脚3：OUT，负责输出信号的引脚；4.引脚4：NC，不连接的引脚；

晶振电路中的两个小电容要怎样选取

晶振电路中的两个小电容叫做晶振负载电容

晶振的负载电容大小一般是几个皮法到几十个皮法，需要选用NPO/G0G材质的电容

晶振负载电容怎么确定大小？

负载电容的大小不是固定的，需要晶振的规格要求而定，晶振的规格书都标有负载电容的要求，一定要看清楚规格书，选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF，晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了

选择负载电容的要注意事项：

选择NPO/G0G材质，温度和高频特性更好公差当然是尽量选择小的，最好选择2%或者1%的。欢迎关注@电子产品设计方案，一起享受分享与学习的乐趣！关注我成为朋友一起交流、学习哦

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Multisim里有有源晶振么

在Multisim软件中，有源晶振是可以找到的。有源晶振通常是指带有内部放大电路的晶振，可以直接输出稳定的时钟信号，而无需外部的放大电路。

在Multisim中，用户可以方便地找到和添加有源晶振元件到电路中，以模拟和测试晶振在电路中的工作情况。

通过使用有源晶振，用户可以更准确地模拟电路的时钟信号和稳定性，从而更好地设计和优化电路。

Multisim提供了丰富的元件库，方便用户进行电路设计和仿真。

RE实验用无源晶振好还是有源晶振好

在实验中，无源晶振和有源晶振各有优势。无源晶振不需要外部电源，简单易用，适合一些简单的实验和小型电路。而有源晶振需要外部电源供电，但具有更高的频率稳定性和更低的相位噪声，适合需要高精度时钟信号的实验和复杂电路。选择哪种晶振取决于实验的需求和预算。