晶振pf(晶振电路的主要参数)
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时钟晶振怎么测好坏
1、将电笔插入插座中（当然是火线），用一只晶振的脚接触电笔屁股，另一只脚用手接触，如果电笔亮，就是好的。
2、用万用表10K挡检测，无穷大为良品。
3、替换法。用数字电容表（或数字万用表的电容档）测量其电容，一般损坏的晶振容量明显减小（不同的晶振其正常容量具有一定的范围，可测量好的得到，一般在几十到几百PF）
4、用替换法。晶振很难用万用表判断的，正向电阻是无穷大反向电阻也是无穷大。
5、如果有条件呢就用示波器看有无波型。
6、最好的办法就是在电路中用万用表量一下它的两端有没有工作电压，若有的话，再有示波器量一下它的频率，若频率不对的话，很有可能它坏了。
7、用10K档量一量有一点阻值是不行的，摇一摇里面有振动是不行的。
晶振起振时间原理
晶振的起振时间与外接电容值的大小存在一定关系，原理是外接电容越大，相对耗损的电流就越多，即作用于晶振本身的激励功率变小，晶振的起振时间就会增加。
举一个偏激的例子，若晶振外接电容应为20PF，我们却采用电容300PF，晶振可能就根本无法起振了，更不用提及晶振的起振时间长短的问题。
晶振的供电电压
因型号规格的多样性,有源晶振所需供电电压也有所不同,归纳如下:
常见DIP插件式封装的有源晶振:3.3V和5V。插件式有源晶振常见于半尺寸DIP8和全尺寸DIP14两种封装。信号输出模式主要为方波(CMOS)和正弦波(sinewave)。输出负载有15PF或30PF。常见SMD贴片式封装有源晶振:1.8V、2.8V、3.0V和3.3V。一般体积越小,功耗越小,电压也越低。信号输出模式主要为方波(CMOS),输出负载以15PF为主。温补晶振(TCXO)则以削峰正弦波(clippedsinewave)为主,输出负载:10KΩ//10pF。注意:3.3V晶振用在5V电路上有可能会烧坏晶振,晶振如果是5V供电,根据内部电路设计的不同,有的可以使用3.3V供电,有的则不可以。
另外,一般3.3V供电的晶振有一个电压允许范围,比如3.3V供电的晶振，3V供电也是可以使用的，但不能低到2.8V，这些都是根据晶振特性来确定的。针对高端晶振而言，最好是确保供电电压与规格书所要求电压相符合。
无源晶振如何匹配电容
查它的型号手册，有“负载电容”的规范。通常有3种规格：
1、高频晶振，30pF；
2、低频晶振，100pF；
3、串联晶振，无穷大（即不用电容）。根据振荡需要，可以把负载电容分解为几个，例如用100pF串联47pF代替30pF负载电容，可以与晶体管构成电容三点式振荡回路。
晶振电路的主要参数
您好，晶振电路的主要参数包括：
1.频率稳定度：指晶振电路在固定温度范围内的频率稳定性，通常用ppm（百万分之一）来表示。
2.频率偏差：指晶振电路的输出频率与理论频率之间的差异，通常用ppm来表示。
3.工作电压：晶振电路的正常工作电压范围，一般为3.3V或5V。
4.工作温度范围：晶振电路的正常工作温度范围，一般为-40℃至85℃。
5.负载电容：晶振电路所需的负载电容大小，通常为12-22pF。
6.振荡模式：晶振电路的振荡模式，包括平面振荡模式和谐振振荡模式。
7.稳定性：晶振电路的稳定性指的是其在不同工作条件下的频率稳定性，如温度、电压等。
8.Q值：晶振电路的Q值指的是其谐振回路的品质因素，一般越大表示振荡器性能越好。
bfp是晶振吗
PF即指的是晶振的负载电容，16和20是它的数值，越低的负载电容越好
