晶振的带负载能力(晶振电路的主要参数)
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7PF的晶振选择多大的负载电容
选择晶振的负载电容时，需要考虑晶振的频率和负载电容的大小。一般来说，晶振的频率越高，负载电容的值就应该越小。对于7PF的晶振，常见的负载电容范围是10-30PF。具体的选择需要根据实际应用情况和晶振厂商的推荐来确定，以确保晶振的稳定性和可靠性。
晶振的供电电压
因型号规格的多样性,有源晶振所需供电电压也有所不同,归纳如下:
常见DIP插件式封装的有源晶振:3.3V和5V。插件式有源晶振常见于半尺寸DIP8和全尺寸DIP14两种封装。信号输出模式主要为方波(CMOS)和正弦波(sinewave)。输出负载有15PF或30PF。常见SMD贴片式封装有源晶振:1.8V、2.8V、3.0V和3.3V。一般体积越小,功耗越小,电压也越低。信号输出模式主要为方波(CMOS),输出负载以15PF为主。温补晶振(TCXO)则以削峰正弦波(clippedsinewave)为主,输出负载:10KΩ//10pF。注意:3.3V晶振用在5V电路上有可能会烧坏晶振,晶振如果是5V供电,根据内部电路设计的不同,有的可以使用3.3V供电,有的则不可以。
另外,一般3.3V供电的晶振有一个电压允许范围,比如3.3V供电的晶振，3V供电也是可以使用的，但不能低到2.8V，这些都是根据晶振特性来确定的。针对高端晶振而言，最好是确保供电电压与规格书所要求电压相符合。
晶振怎么区分大小
晶振的大小通常可以通过以下几个方面来区分：
1.直径：晶振的直径是指其外径，通常用D表示。一般来说，直径越大，晶振的尺寸也就越大。
2.长度：晶振的长度是指其从芯片表面到基座的长度，通常用L表示。一般来说，长度越大，晶振的尺寸也就越大。
3.体积：晶振的体积是指其整个体积，包括芯片和基座部分。一般来说，体积越大，晶振的尺寸也就越大。
4.重量：晶振的重量是指其重量，通常用F表示。一般来说，重量越大，晶振的尺寸也就越大。
以上是一些常见的区分大小的方法，但是并不是所有晶振都会按照这些标准进行区分，有些晶振的大小可能会因为制造工艺的不同而有所变化。
晶振电路的主要参数
您好，晶振电路的主要参数包括：
1.频率稳定度：指晶振电路在固定温度范围内的频率稳定性，通常用ppm（百万分之一）来表示。
2.频率偏差：指晶振电路的输出频率与理论频率之间的差异，通常用ppm来表示。
3.工作电压：晶振电路的正常工作电压范围，一般为3.3V或5V。
4.工作温度范围：晶振电路的正常工作温度范围，一般为-40℃至85℃。
5.负载电容：晶振电路所需的负载电容大小，通常为12-22pF。
6.振荡模式：晶振电路的振荡模式，包括平面振荡模式和谐振振荡模式。
7.稳定性：晶振电路的稳定性指的是其在不同工作条件下的频率稳定性，如温度、电压等。
8.Q值：晶振电路的Q值指的是其谐振回路的品质因素，一般越大表示振荡器性能越好。
负载电容指什么
负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。
负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。mhz晶振的用途
晶振是石英振荡器的简称，英文名为Crystal，它是时钟电路中最重要的部件，它的主要作用是向显卡、网卡、主板等配件的各部分提供基准频率，它就像个标尺，工作频率不稳定会造成相关设备工作频率不稳定，自然容易出现问题。晶振还有个作用是在电路产生震荡电流，发出时钟信号。
晶振是晶体振荡器的简称。它用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。在通常工作条件下，普通的晶振频率绝对精度可达百万分之五十。高级的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率，称为压控振荡器（VCO）。
