晶振 负载电容计算(8m晶振配多大的电容)
本文目录
晶振多大电阻阻值为正常
答:
晶振多大电阻阻值1M政姆为正常。
并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻，它为内部的反相器提供直流偏置电压，选值一般为1M欧姆，这没问题。但是，可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻，如果已经包含了，则外部就不要再加了。
另外，晶振的负载电容及layout设计需要做好检查，确保没有问题。
最后，常规的检查无效之后，可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。
Rd的选值：1/(2*pi*f0*C2)，f0为晶振频率。
80c51晶振频率怎么算
晶振频率的计算可以通过以下公式进行：晶振频率=1/(2*π*C*R)其中，C为晶振电容的值，R为晶振电阻的值。晶振频率的计算公式是根据晶振电路的特性推导得出的。晶振电路是由晶振电容和晶振电阻组成的，通过电容和电阻的数值可以计算出晶振频率。在实际应用中，为了得到所需的晶振频率，我们需要选择合适的晶振电容和晶振电阻的数值。通常情况下，可以根据晶振的规格参数和应用需求来选择合适的电容和电阻数值，以满足系统的要求。此外，还需要注意晶振电路的稳定性和抗干扰能力，以确保晶振频率的准确性和可靠性。
8m晶振配多大的电容
在选择晶振外围元器件时，需要考虑晶振型号、频率、电容等因素。通常，晶振带有一个额定的负载电容范围，一般为其频率的20%~40%。比如，如果您的8MHz晶振额定的负载电容为20pF，那么您可以选择两个10pF或一个22pF的电容进行匹配。不同晶振型号和使用场景可能需要不同的电容值，因此最好查看晶振的手册或联系厂商以获取最准确的外围元器件参数。
晶振怎么区分大小
晶振的大小通常可以通过以下几个方面来区分：
1.直径：晶振的直径是指其外径，通常用D表示。一般来说，直径越大，晶振的尺寸也就越大。
2.长度：晶振的长度是指其从芯片表面到基座的长度，通常用L表示。一般来说，长度越大，晶振的尺寸也就越大。
3.体积：晶振的体积是指其整个体积，包括芯片和基座部分。一般来说，体积越大，晶振的尺寸也就越大。
4.重量：晶振的重量是指其重量，通常用F表示。一般来说，重量越大，晶振的尺寸也就越大。
以上是一些常见的区分大小的方法，但是并不是所有晶振都会按照这些标准进行区分，有些晶振的大小可能会因为制造工艺的不同而有所变化。
20pf 10ppm晶振应外接多大电容
根据晶振的特性和外部电路的需要，选择合适的电容可以提高晶振的稳定性和抗干扰能力。对于20pf的晶振，建议外接两个10pf的电容，以保证电容的总值与晶振的额定值相等。同时，考虑到10ppm的精度要求，建议选择稳定性较好的C0G或NP0型电容，并进行合理的布局和设计，以减少干扰和误差的影响。
在实际应用中，还需要根据具体的电路要求和环境条件进行优化和调试，以达到最佳的性能和可靠性。
晶振旁边两电容电压一样吗
晶振旁边两个电容的电压通常是一样的。这是因为这两个电容的取值都是相同的，或者相差不大。如果两个电容的电压相差太大，容易造成谐振的不平衡，从而导致停振或者不起振。
值得注意的是，晶振通常需要与负载电容配合才能正常工作。这些电容不仅仅是为了滤波，而是为了构成振荡器起振的一部分。在无源晶振电路中，通常还会有两个电容，这两个电容一般被称为“匹配电容”或者“谐振电容”，以满足谐振条件让晶振起振并正常工作。
因此，在设计和使用晶振电路时，除了考虑电容的电压外，还需要确保电容的类型和值都符合设计要求，以避免可能出现的问题。
