晶振并电阻(晶振并联接法)
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无源晶振好坏的判断
无源晶振的好坏需要根据其准确度、稳定性、温度变化对频率的影响以及寿命等因素进行考量。一般来说，好的无源晶振在准确度方面有高要求，具有很好的频率稳定性，温度变化对频率的影响小，寿命长等特点。若无源晶振达不到这些要求，其好坏则会受到影响。无源晶振是电子产品中非常重要的元器件，其好坏直接关系到整个电路的稳定性和精度。因此，我们应该在选购无源晶振时要选择优质产商的产品，避免购买低质量的产品。另外，我们还需要定期对无源晶振进行检测，并注意其周围的温度变化等影响因素，维护其良好性能。
晶振并联接法
晶振电路形式很多，有的不用电容，有的并联一个电容，有的并联一对串联的电容，都是根据电路需要设计的，有的是晶体指定的负载电容，有时是为了形成一定的反馈系数维持振荡。晶振频率基本上由晶体特性决定，外部电容仅仅有一点“微调”效果，最大调节范围不会超过千分之一，因此电容不能决定振荡频率。
26000的晶振配多大电容
晶振的电容配合主要取决于晶振的频率和工作电压。一般来说，晶振的频率越高，所需的电容值就越小。以26000Hz的晶振为例，常见的电容值为10pF或者22pF。选择电容时要确保其频率响应范围能够覆盖晶振的工作频率，同时满足电容的工作电压要求。此外，还需考虑晶振的负载电容，以及其他相关电路的影响，如布线电容等。
因此，在确定26000Hz晶振所需电容时，需要根据具体的应用环境和要求进行综合考虑。
8m晶振配多大的电容
并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻，它为内部的反相器提供直流偏置电压，选值一般为1M欧姆，这没问题。但是，可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻，如果已经包含了，则外部就不要再加了。
另外，晶振的负载电容及layout设计需要做好检查，确保没有问题。
最后，常规的检查无效之后，可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。
Rd的选值：1/(2*
pi*f0*
C2)，f0为晶振频率。如何正确匹配石英晶振的负载电容
按你选择的石英晶振的规格要求来选择负载电容就好了为保证某些低频率的晶体振荡和陶瓷谐振器的振荡频率更精准，一般都会建议连接两个小容量电容C1和C2到VSS，具体数值你选择的晶体/陶瓷晶振有关，规格书上都会注明。外部并联的反馈电阻Rp是根据实际情况使用的，一般可以用1M~10M的电阻。使用的电容要使用NPO或C0G材质的电容。精度当然是越高越好了。最好使用+/-1%的关注@电子产品设计方案，一起享受分离和学习的乐趣，请在评论区一起讨论哦
什么叫外部晶振
外部电路上的电容会把电路的振荡频率拉低一些。在设计石英晶体振荡电路时，也应令电路上的杂散电容与外加电容合计値与晶体厂商使用的负载电容值相同。
外部晶振：由C0、C1与L1构成的并联共振。
外部晶振：频率在30MHz以下的石英晶体。
