高品质晶振电容(晶振电路中如何选择电容C1C2)
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7PF的时钟晶振选择多大的负载电容
选择时钟晶振的负载电容需要考虑多个因素。一般来说，负载电容的大小会影响晶振的频率稳定性和启动时间。对于7PF的时钟晶振，建议选择一个合适的负载电容，通常在10-30PF之间。具体的选择取决于晶振的制造商提供的规格和推荐值。同时，还需要考虑电路板的布局和环境条件等因素，以确保晶振的性能和可靠性。最好参考晶振的数据手册或咨询相关专业人士，以获得准确的建议。
晶振电路中如何选择电容C1C2
晶振旁边两个小电容是负载电容
在使用外部晶振作为芯片的系钟时，晶振需要串联两个负载小容。另小瞧这两个小电容哦，没有它们，晶振就没法工作了。
晶振旁边的负载电容有什么作用？芯片晶振引脚的内部通常是一个反相器，芯片晶振的两个引脚之间还需要连接一个电阻，使反相器在振荡初始时处与线性状态，但这个电阻一般集成在芯片的内部，反相器就好像一个有很大增益的放大器，为了方便起振，晶振连接在芯片晶振引脚的输入和输出之间，等效为一个并联谐振回路，振荡的频率就是石英晶振的并联谐振频率。晶振旁边的两个电容需要接地,，其实就是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点，以分压点为参考点，振荡引脚的输入和输出是反相的，但从晶振两端来看，形成一个正反馈来保证电路能够持续振荡。芯片设计的时候，其实这两个电容就已经形成了，一般是两个的容量相等，但容量比较小，不一定适合很宽的振荡频率范围，所以需要外接两个负载电容。晶振旁边的负载电容怎么选择？负载电容需要根据晶振的规格来选择，晶振的规格书都会标示出负载电容的大小，一般都是几pF到几十pF。假如晶振规格要求用20pF的负载电容，因为两个负载电容是串联的，理论上需要选择两个40pF的负载电容。实际上MCU内部和PCB的线路上都会有一定的寄生电容，晶振的负载电容=[(C1*C2)/(C1+C2)]+Cic+△C，Cic+△C为MCU内部电容和PCB线路的寄生电容，一般是3~5pF，所以，在实际应用中会考虑用30pF~36pF的负载电容。晶振和负载电容布线注意事项为了让晶振能够可靠、稳定的起振，我们在布线时，需要让晶振和负载电容尽量的靠近芯片的晶振引脚。
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选择晶振的负载电容时，需要考虑晶振的频率和负载电容的大小。一般来说，晶振的频率越高，负载电容的值就应该越小。对于7PF的晶振，常见的负载电容范围是10-30PF。具体的选择需要根据实际应用情况和晶振厂商的推荐来确定，以确保晶振的稳定性和可靠性。
20pf 10ppm晶振应外接多大电容
根据晶振的特性和外部电路的需要，选择合适的电容可以提高晶振的稳定性和抗干扰能力。对于20pf的晶振，建议外接两个10pf的电容，以保证电容的总值与晶振的额定值相等。同时，考虑到10ppm的精度要求，建议选择稳定性较好的C0G或NP0型电容，并进行合理的布局和设计，以减少干扰和误差的影响。
在实际应用中，还需要根据具体的电路要求和环境条件进行优化和调试，以达到最佳的性能和可靠性。
万年历时间不准换晶振还是换电容
万年历不准时可能是因为晶振老化或损坏，也可能是因为电容问题。如果晶振的频率偏差较大，可以尝试更换晶振来解决时间不准的问题。但如果晶振本身工作正常，但电容值的偏差较大，也可以更换电容来修复。无论是更换晶振还是电容，都需要注意配件的参数是否匹配，以确保更换后的万年历可以正常工作。
8m晶振配多大的电容
在选择晶振外围元器件时，需要考虑晶振型号、频率、电容等因素。通常，晶振带有一个额定的负载电容范围，一般为其频率的20%~40%。比如，如果您的8MHz晶振额定的负载电容为20pF，那么您可以选择两个10pF或一个22pF的电容进行匹配。不同晶振型号和使用场景可能需要不同的电容值，因此最好查看晶振的手册或联系厂商以获取最准确的外围元器件参数。
