甘肃本地晶振电容(无源晶振如何匹配电容)
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无源晶振如何匹配电容
查它的型号手册，有“负载电容”的规范。通常有3种规格：
1、高频晶振，30pF；
2、低频晶振，100pF；
3、串联晶振，无穷大（即不用电容）。根据振荡需要，可以把负载电容分解为几个，例如用100pF串联47pF代替30pF负载电容，可以与晶体管构成电容三点式振荡回路。
8m晶振配多大的电容
在选择晶振外围元器件时，需要考虑晶振型号、频率、电容等因素。通常，晶振带有一个额定的负载电容范围，一般为其频率的20%~40%。比如，如果您的8MHz晶振额定的负载电容为20pF，那么您可以选择两个10pF或一个22pF的电容进行匹配。不同晶振型号和使用场景可能需要不同的电容值，因此最好查看晶振的手册或联系厂商以获取最准确的外围元器件参数。
为什么单片机的外接晶振要并连两个电容
单片机的外接晶振要对地连接两个电容，这两个电容是晶体振荡器的两个负载电容器，起着匹配负载频率的作用，有了这两个电容器，电路更容易起振，频率更为稳定。
不同的晶振，要求不同的负载电容器。
单片机电容怎么找
原理上讲直接将晶振接到单片机上，单片机就可以工作。但这样构成的振荡电路中会产生偕波(也就是不希望存在的其他频率的波),这个波对电路的影响不大,但会降低电路的时钟振荡器的稳定性.为了电路的稳定性起见，建议在晶振的两引脚处接入两个瓷片电容接地来削减偕波对电路的稳定性的影响,所以晶振必须配有起振电容，但电容的具体大小没有什么普遍意义上的计算公式，不同芯片的要求不同。
（1）：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
（2）：在许可范围内，C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增比较常用的为15p-30p之间。
32768k晶振谐振电容多少
谐振电容的计算公式为：
C=1/(4*π^2*f^2*L)
其中，C为电容的大小，f为振荡频率，L为电感的大小。
假设晶振的频率为32768kHz，代入公式可得：
C=1/(4*π^2*(32768*10^3)^2*L)
然而，此处缺少了电感的数值，无法计算精确的谐振电容大小。晶振的设计通常需要考虑多个因素，包括工作频率、电感和电容的匹配等，建议参考晶振的相关设计资料或咨询专业人士，以确定最佳的谐振电容大小。
有源晶振主要参数
参数:
a.标称频率：在规定条件下，晶振的谐振中心频率.
b.调整频差：在规定条件下，基准温度时的工作频率相对标称频率的最大偏离值.(ppm)
c.温度频差：在规定条件下，在整个工作温度范围内，相对于基准温度时工作频率的允许偏离值.
d.负载谐振电阻：晶振与指定外部电容相串联，在负载谐振频率时的电阻值.
e.负载电容：是指与晶振一起决定负载谐振频率的有效外界电容.常用标准值有：12pF、16pF、20pF、30pF.
