晶振接地的电容(晶振怎么配电容呢)
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电容和晶振的区别
电容是指在给定电位差下的电荷储藏量。
晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。
电容亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。
晶振是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。
晶振怎么配电容呢
晶振配电容芯片晶振引脚的内部通常是一个反相器，芯片晶振的两个引脚之间还需要连接一个电阻，使反相器在振荡初始时处与线性状态，但这个电阻一般集成在芯片的内部，反相器就好像一个有很大增益的放大器，为了方便起振，晶振连接在芯片晶振引脚的输入和输出之间，等效为一个并联谐振回路，振荡的频率就是石英晶振的并联谐振频率。
晶振旁边的两个电容需要接地,，其实就是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点，以分压点为参考点，振荡引脚的输入和输出是反相的，但从晶振两端来看，形成一个正反馈来保证电路能够持续振荡。
晶振的负载电容怎么计算
振电容的选取和计算。一般来说对于晶振旁边的电容我们没有具体去选取而是用啥片子它总有个理论的电容匹配值我们就用那个了。其中负载电容CL=Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容，Cg和Cd为我们外部加的两个电容。
通常我们都是选取两个相同的电容值，它们并联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容CL.因此在实际使用过程中，我们焊接好电路后，最好测一下晶振的实际频率，如果与相差的比较远，可以通过微调外部匹配电容来使得实际频率达到我们需要的
晶振布线的正确方法
方法步骤：
1.确定晶振的位置：晶振的放置位置应该远离其他器件，特别是在晶振附近的走线要保持简洁，以减少噪声干扰和分布电容对晶振的影响。
2.晶振电源去耦：在晶振的电源管脚上添加去耦电容，可以选择两到三个不同容值的电容，并根据测试结果进行调整。
3.时钟输出管脚匹配：如果晶振的输出管脚是时钟信号，需要进行匹配阻抗。具体匹配阻值的确定，可以根据测试结果进行调整。
4.预留的电容：在晶振的电源管脚上预留一个较小的电容，构成一级低通滤波，以减少电源噪声对晶振的影响。
5.布线短且紧密耦合：在布线时，晶振的输入/输出端的导线要尽量短，并且要尽可能保持紧密耦合，以减少噪声干扰和分布电容对晶振的影响。
6.晶振外壳接地：在晶振的外壳上接地线，可以防止晶振向外辐射电磁波，同时也可以屏蔽外来干扰。
7.晶振下面铺地：在晶振所在的层面上铺上地线，可以防止干扰其他层。建议在布多层板时，将晶振所在的层面上铺上地线。
注意的是，以上步骤需要根据具体的电路设计和应用场景进行调整和优化，同时还要考虑晶振的规格和性能要求。在进行布线操作时，需要遵循相关的电气规则和安全规范。
有源晶振的负载电容重要吗
有源晶振属于主动元器件，不需要考虑负载电容是否匹配，无源晶振需要考虑负载电容的匹配问题。
什么是负载电容所谓负载电容，是指晶振的两条引脚与单片机相连时内部及外部所有有效电容之和，可以理解成晶振和一个电容串联在电路中。在学单片机时，单片机所使用的无源晶振必须连接两个外部电容才可以起振，所以负载电容对无源晶振而言很重要。
无源晶振的负载电容匹配前文说过，无源晶振需要匹配负载电容，在使用无源晶振时需要两个15-30pF的瓷片电容连接在晶振的两个引脚，另一端接地，如下图所示。
这两个电容的选取需要根据数据手册而定，一般而言，如果没有具体说明其范围在15-30pF之间。在使用DS1302时钟芯片设计电路时，所用的晶振为32.768KHz，要求晶振的负载匹配电容为6pF左右，否则走时可能不准确，我以前吃过这个亏。
有源晶振不需要负载电容无源晶振不需要供电，只需要外接两个电容即可起振。而有源晶振是需要供电的，也不需要负载电容，也就不需要匹配负载电容。有源晶振与单片机连接的电路图如下所示。
有源晶振有四个引脚，其中两个引脚接电源，一个引脚为信号输出，另一个引脚接地或者悬空。
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晶振电容位置
电容应尽量靠近晶振引脚（频率输入脚与频率输出脚）设计。
晶振核心部件为石英晶体，容易受外力撞击或跌落影响而破碎。在PCB布线时最好不要把晶振设计在PCB边缘，尽量使其靠近芯片。
晶振走线需要用GND保护稳妥，远离敏感信号源，如RF及高速信号，以免频率信号受到干扰。
晶振位置远离热力源，高温会造成晶振频率偏差，因为石英晶体具有“温漂”物理特性。
