晶振负载电容计算公式(晶振电路的主要参数)
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8m晶振配多大的电容
并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻，它为内部的反相器提供直流偏置电压，选值一般为1M欧姆，这没问题。但是，可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻，如果已经包含了，则外部就不要再加了。
另外，晶振的负载电容及layout设计需要做好检查，确保没有问题。
最后，常规的检查无效之后，可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。
Rd的选值：1/(2*
pi*f0*
C2)，f0为晶振频率。16M晶振要配多大电容
16M晶振的电容配置要根据具体应用情况而定。一般来说，晶振的电容是用来滤波和保真的，因此需要根据应用的要求来确定电容的大小和数量。
对于16M晶振，常用的应用是通信和电源系统，因此需要考虑以下几个方面：
1.滤波：16M晶振通常用于通信和电源系统中，需要对高频信号进行滤波，因此需要选择一个足够大的电容来滤波。一般来说，3微法的电容已经足够。
2.保真：16M晶振通常会产生非常高的频率输出，因此需要对输出信号进行保真，以确保输出信号的精度和稳定性。一般来说，2微法的电容已经足够。
综合考虑以上几个方面，一个合适的电容大小应该是在3微法到2微法之间，具体数量取决于应用场景和要求。如果需要更加精确的信号保真，可以选择更大的电容，但需要注意电容的容量过大会增加系统的成本。
晶振电路的主要参数
您好，晶振电路的主要参数包括：
1.频率稳定度：指晶振电路在固定温度范围内的频率稳定性，通常用ppm（百万分之一）来表示。
2.频率偏差：指晶振电路的输出频率与理论频率之间的差异，通常用ppm来表示。
3.工作电压：晶振电路的正常工作电压范围，一般为3.3V或5V。
4.工作温度范围：晶振电路的正常工作温度范围，一般为-40℃至85℃。
5.负载电容：晶振电路所需的负载电容大小，通常为12-22pF。
6.振荡模式：晶振电路的振荡模式，包括平面振荡模式和谐振振荡模式。
7.稳定性：晶振电路的稳定性指的是其在不同工作条件下的频率稳定性，如温度、电压等。
8.Q值：晶振电路的Q值指的是其谐振回路的品质因素，一般越大表示振荡器性能越好。
负载电容指什么
负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。
负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。晶振旁边接的两个电容是起什么作用
负载电容。一般单片机的晶振工作于并联谐振状态，也可以理解为谐振电容的一部分。它是根据晶振厂家提供的晶振要求负载电容选值的，换句话说，晶振的频率就是在它提供的负载电容下测得的，能最大限度的保证频率值的误差。也能保证温漂等误差。两个电容的取值都是相同的，或者说相差不大，如果相差太大，容易造成谐振的不平衡，容易造成停振或者干脆不起振，详细可以到扬兴晶振官网免费咨询。
晶振负载电容值指的是晶振的交流电路中参与振荡与晶振串联或者并联的负载电容值。晶振的电路频率主要是有晶振自身决定，既然负载电容参与电路振荡，肯定会对频率多少起到微调作用。负载电容值越小，振荡电路就会反而越高。
无源晶振为何要选好匹配电容
无源晶振的负载电容，其实也是匹配电容
一个12M晶振的负载电容为12.5PF，那么在匹配12.5PF的电容是，晶振输出的才是12M。如果改成9PF或者20PF，那么无源晶振输出的频率会与12M差很多。
实际上调整的负载电容时，就是在调整晶振的输出频率。那么如何确定这个电容值，你就一目了然了，将电容换成可变电容，在输出端连接频率计，调整可变电容，直到输出频率为你所需要的频率时，这时的可变电容值就是你所需要的负载电容值。
电容不能太小，晶体不起振，当电容太大，会失去振荡平衡，造成电路工作不稳定。
