晶振电路电容大小(晶振电路中如何选择电容C1C2)
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电容和晶振的区别
电容是指在给定电位差下的电荷储藏量。
晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。
电容亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。
晶振是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。
20pf 10ppm晶振应外接多大电容
根据晶振的特性和外部电路的需要，选择合适的电容可以提高晶振的稳定性和抗干扰能力。对于20pf的晶振，建议外接两个10pf的电容，以保证电容的总值与晶振的额定值相等。同时，考虑到10ppm的精度要求，建议选择稳定性较好的C0G或NP0型电容，并进行合理的布局和设计，以减少干扰和误差的影响。
在实际应用中，还需要根据具体的电路要求和环境条件进行优化和调试，以达到最佳的性能和可靠性。
晶振多大电阻阻值为正常
答:
晶振多大电阻阻值1M政姆为正常。
并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻，它为内部的反相器提供直流偏置电压，选值一般为1M欧姆，这没问题。但是，可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻，如果已经包含了，则外部就不要再加了。
另外，晶振的负载电容及layout设计需要做好检查，确保没有问题。
最后，常规的检查无效之后，可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。
Rd的选值：1/(2*pi*f0*C2)，f0为晶振频率。
无源晶振如何匹配电容
查它的型号手册，有“负载电容”的规范。通常有3种规格：
1、高频晶振，30pF；
2、低频晶振，100pF；
3、串联晶振，无穷大（即不用电容）。根据振荡需要，可以把负载电容分解为几个，例如用100pF串联47pF代替30pF负载电容，可以与晶体管构成电容三点式振荡回路。
晶振的电阻值是多少欧姆
并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻，它为内部的反相器提供直流偏置电压，选值一般为1M欧姆，这没问题。但是，可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻，如果已经包含了，则外部就不要再加了。
另外，晶振的负载电容及layout设计需要做好检查，确保没有问题。
最后，常规的检查无效之后，可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。
Rd的选值：1/(2*
pi*f0*
C2)，f0为晶振频率。晶振电路中如何选择电容C1C2
晶振旁边两个小电容是负载电容
在使用外部晶振作为芯片的系钟时，晶振需要串联两个负载小容。另小瞧这两个小电容哦，没有它们，晶振就没法工作了。
晶振旁边的负载电容有什么作用？芯片晶振引脚的内部通常是一个反相器，芯片晶振的两个引脚之间还需要连接一个电阻，使反相器在振荡初始时处与线性状态，但这个电阻一般集成在芯片的内部，反相器就好像一个有很大增益的放大器，为了方便起振，晶振连接在芯片晶振引脚的输入和输出之间，等效为一个并联谐振回路，振荡的频率就是石英晶振的并联谐振频率。晶振旁边的两个电容需要接地,，其实就是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点，以分压点为参考点，振荡引脚的输入和输出是反相的，但从晶振两端来看，形成一个正反馈来保证电路能够持续振荡。芯片设计的时候，其实这两个电容就已经形成了，一般是两个的容量相等，但容量比较小，不一定适合很宽的振荡频率范围，所以需要外接两个负载电容。晶振旁边的负载电容怎么选择？负载电容需要根据晶振的规格来选择，晶振的规格书都会标示出负载电容的大小，一般都是几pF到几十pF。假如晶振规格要求用20pF的负载电容，因为两个负载电容是串联的，理论上需要选择两个40pF的负载电容。实际上MCU内部和PCB的线路上都会有一定的寄生电容，晶振的负载电容=[(C1*C2)/(C1+C2)]+Cic+△C，Cic+△C为MCU内部电容和PCB线路的寄生电容，一般是3~5pF，所以，在实际应用中会考虑用30pF~36pF的负载电容。晶振和负载电容布线注意事项为了让晶振能够可靠、稳定的起振，我们在布线时，需要让晶振和负载电容尽量的靠近芯片的晶振引脚。
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