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晶振电路电容大小(晶振电路中如何选择电容C1C2)

压电侠1年前 (2024-03-11)压电资讯204

本文目录

  1. 电容和晶振的区别
  2. 20pf 10ppm晶振应外接多大电容
  3. 晶振多大电阻阻值为正常
  4. 无源晶振如何匹配电容
  5. 晶振的电阻值是多少欧姆
  6. 晶振电路中如何选择电容C1C2

电容和晶振的区别

电容是指在给定电位差下的电荷储藏量。

晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作,以提供稳定,精确的单频振荡。

电容亦称作“电容量”,是指在给定电位差下的电荷储藏量,记为C,国际单位是法(F)。一般来说,电荷在电场中会受力而移动,当导体之间有了介质,则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上,造成电荷的累积储存,储存的电荷量则称为电容。

晶振是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振。

20pf 10ppm晶振应外接多大电容

根据晶振的特性和外部电路的需要,选择合适的电容可以提高晶振的稳定性和抗干扰能力。对于20pf的晶振,建议外接两个10pf的电容,以保证电容的总值与晶振的额定值相等。同时,考虑到10ppm的精度要求,建议选择稳定性较好的C0G或NP0型电容,并进行合理的布局和设计,以减少干扰和误差的影响。

在实际应用中,还需要根据具体的电路要求和环境条件进行优化和调试,以达到最佳的性能和可靠性。

晶振多大电阻阻值为正常

答:

晶振多大电阻阻值1M政姆为正常。

并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻,它为内部的反相器提供直流偏置电压,选值一般为1M欧姆,这没问题。但是,可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻,如果已经包含了,则外部就不要再加了。

另外,晶振的负载电容及layout设计需要做好检查,确保没有问题。

最后,常规的检查无效之后,可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。

Rd的选值:1/(2*pi*f0*C2),f0为晶振频率。

无源晶振如何匹配电容

查它的型号手册,有“负载电容”的规范。通常有3种规格:

1、高频晶振,30pF;

2、低频晶振,100pF;

3、串联晶振,无穷大(即不用电容)。根据振荡需要,可以把负载电容分解为几个,例如用100pF串联47pF代替30pF负载电容,可以与晶体管构成电容三点式振荡回路。

晶振的电阻值是多少欧姆

并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻,它为内部的反相器提供直流偏置电压,选值一般为1M欧姆,这没问题。但是,可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻,如果已经包含了,则外部就不要再加了。

另外,晶振的负载电容及layout设计需要做好检查,确保没有问题。

最后,常规的检查无效之后,可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。

Rd的选值:1/(2*

pi*f0*

C2),f0为晶振频率。

晶振电路中如何选择电容C1C2

晶振旁边两个小电容是负载电容

在使用外部晶振作为芯片的系钟时,晶振需要串联两个负载小容。另小瞧这两个小电容哦,没有它们,晶振就没法工作了。

晶振旁边的负载电容有什么作用?芯片晶振引脚的内部通常是一个反相器,芯片晶振的两个引脚之间还需要连接一个电阻,使反相器在振荡初始时处与线性状态,但这个电阻一般集成在芯片的内部,反相器就好像一个有很大增益的放大器,为了方便起振,晶振连接在芯片晶振引脚的输入和输出之间,等效为一个并联谐振回路,振荡的频率就是石英晶振的并联谐振频率。晶振旁边的两个电容需要接地,,其实就是电容三点式电路的分压电容,接地点就是分压点,以分压点为参考点,振荡引脚的输入和输出是反相的,但从晶振两端来看,形成一个正反馈来保证电路能够持续振荡。芯片设计的时候,其实这两个电容就已经形成了,一般是两个的容量相等,但容量比较小,不一定适合很宽的振荡频率范围,所以需要外接两个负载电容。晶振旁边的负载电容怎么选择?负载电容需要根据晶振的规格来选择,晶振的规格书都会标示出负载电容的大小,一般都是几pF到几十pF。假如晶振规格要求用20pF的负载电容,因为两个负载电容是串联的,理论上需要选择两个40pF的负载电容。实际上MCU内部和PCB的线路上都会有一定的寄生电容,晶振的负载电容=[(C1*C2)/(C1+C2)]+Cic+△C,Cic+△C为MCU内部电容和PCB线路的寄生电容,一般是3~5pF,所以,在实际应用中会考虑用30pF~36pF的负载电容。晶振和负载电容布线注意事项

为了让晶振能够可靠、稳定的起振,我们在布线时,需要让晶振和负载电容尽量的靠近芯片的晶振引脚。

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