晶振特性曲线(12M晶振的特性)
本文目录
晶振，参数
晶体谐振器常用的参数
CI或RR代表等效阻抗
C0：静电容
C1：动态电容
DLD：激励功率特性，不代表任何值
DLD2：一系列的功率下等效阻抗的最大值和最小值的差
FDLD：一系列的功率下频率的最大值和最小值的差
RLD2：一系列的功率下等效阻抗的最大值
12M晶振的特性
12MHZ晶振是一款能够定期产生重复信号的石英晶振，频率值为12.000mhz，它产生的信号通常为正弦波，
石英晶体振荡器的最重要的特性是它的频率：单位时间内完成振动的次数。晶振频率的单位为：HZ赫兹。一赫兹是表示每秒振荡一次。一个兆赫（MHz）是表示每秒振动一万次，它的数就是时钟周期。
12MHz晶体振荡器是一款输出频率是由石英晶体控制，每秒钟产生重复12万次振动的电子单元，晶振12MHZ用途很广，常见是用在在单片机上，它可以产生12个机器周期，起到一个定时的作用，不过现在的单片机要求运行速度要快很多，可以用其内部定时器编写程序。
晶振的供电电压
因型号规格的多样性,有源晶振所需供电电压也有所不同,归纳如下:
常见DIP插件式封装的有源晶振:3.3V和5V。插件式有源晶振常见于半尺寸DIP8和全尺寸DIP14两种封装。信号输出模式主要为方波(CMOS)和正弦波(sinewave)。输出负载有15PF或30PF。常见SMD贴片式封装有源晶振:1.8V、2.8V、3.0V和3.3V。一般体积越小,功耗越小,电压也越低。信号输出模式主要为方波(CMOS),输出负载以15PF为主。温补晶振(TCXO)则以削峰正弦波(clippedsinewave)为主,输出负载:10KΩ//10pF。注意:3.3V晶振用在5V电路上有可能会烧坏晶振,晶振如果是5V供电,根据内部电路设计的不同,有的可以使用3.3V供电,有的则不可以。
另外,一般3.3V供电的晶振有一个电压允许范围,比如3.3V供电的晶振，3V供电也是可以使用的，但不能低到2.8V，这些都是根据晶振特性来确定的。针对高端晶振而言，最好是确保供电电压与规格书所要求电压相符合。
晶振温漂指标是多少
晶振的温漂指标是一个重要的性能参数，它表示晶振频率随温度变化的漂移量。根据不同的晶振类型和应用场景，温漂指标的范围也会有所不同。一般来说，普通的晶振温漂在±10-30ppm/℃左右，而一些高精度、高稳定的晶振则可以将温漂指标控制在±0.5-2ppm/℃以内。因此，在选择晶振时，需要根据具体的应用场景和需求来选择合适的温漂指标。同时，为了减小晶振温漂的影响，还可以采用一些补偿技术，如温度补偿电路、数字补偿技术等。
晶振压差多少正常
晶振压差是指晶体振荡器在不同工作条件下的输出频率变化。正常的晶振压差通常在几百ppm（百万分之几）范围内，具体取决于晶振的质量、温度和工作环境等因素。
在一些高精度应用中，晶振压差可能要求更低，例如在通信、导航和精密仪器制造中。需要注意的是，晶振压差过大可能导致设备工作不稳定或失效，因此在应用中需根据具体要求选择合适的晶振类型和工作条件。
晶振怎么标识
晶振在电路板上用X表示。
晶振一般指晶体振荡器。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
一、相关应用
1、通用晶体振荡器，用于各种电路中，产生振荡频率。
2、时钟脉冲用石英晶体谐振器，与其它元件配合产生标准脉冲信号，广泛用于数字电路中。
3、微处理器用石英晶体谐振器。
4、CTVVTR用石英晶体谐振器。
5、钟表用石英晶体振荡器。
二、发展趋势
1、小型化、薄片化和片式化：为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求，石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。例如TCXO这类器件的体积缩小了30～100倍。采用SMD封装的TCXO厚度不足2mm，目前5×3mm尺寸的器件已经上市。
2、高精度与高稳定度，无补偿式晶体振荡器总精度也能达到±25ppm，VCXO的频率稳定度在10～7℃范围内一般可达±20～100ppm，而OCXO在同一温度范围内频率稳定度一般为±0.0001～5ppm，VCXO控制在±25ppm以下。
3、低噪声，高频化，在GPS通信系统中是不允许频率颤抖的，相位噪声是表征振荡器频率颤抖的一个重要参数。OCXO主流产品的相位噪声性能有很大改善。除VCXO外，其它类型的晶体振荡器最高输出频率不超过200MHz。
例如用于GSM等移动电话的UCV4系列压控振荡器，其频率为650～1700MHz，电源电压2.2～3.3V，工作电流8～10mA。
4、低功耗，快速启动，低电压工作，低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。电源电压一般为3.3V。许多TCXO和VCXO产品，电流损耗不超过2mA。石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。
例如日本精工生产的VG—2320SC型VCXO，在±0.1ppm规定值范围条件下，频率稳定时间小于4ms。日本东京陶瓷公司生产的SMDTCXO，在振荡启动4ms后则可达到额定值的90%。OAK公司的10～25MHz的OCXO产品，在预热5分钟后，则能达到±0.01ppm的稳定度。
