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外部晶振 内部晶振(跟外部晶体比谁的精度高)

压电侠1年前 (2024-03-11)压电资讯150

本文目录

  1. 晶振包地的处理
  2. 3225晶振引脚定义
  3. epm1270外接几个晶振
  4. 如何区别恒温晶振与温补晶振
  5. 内部晶振误差是2***跟外部晶体比谁的精度高
  6. 无源晶振怎么用

晶振包地的处理

晶振是一种常见的电子元件,用于产生精确的频率信号。在处理晶振包地的问题时,需要考虑以下几个方面:信号完整性:晶振的信号完整性对于整个电路的正常工作至关重要。因此,在包地处理时,需要确保信号的完整性和稳定性。可以通过在晶振周围设置合适的参考平面、优化信号线布局、减小信号线长度等方式来提高信号质量。接地处理:晶振包地的主要目的是为了减少外部干扰对晶振频率的影响。因此,接地处理是关键。可以采用单独的接地线将晶振的地引到主地线上,以减小干扰对晶振的影响。同时,对于多层板,可以将晶振放置在顶层或底层,避免与其他信号层之间的干扰。屏蔽处理:为了进一步减小外部干扰对晶振的影响,可以采用屏蔽处理。将晶振放置在一个金属盒中,盒子的外壳接地,可以有效地减小电磁干扰对晶振的影响。频率稳定性:晶振的频率稳定性对于整个系统的正常运行至关重要。因此,在包地处理时,需要考虑如何保持晶振的频率稳定性。可以采用适当的温度补偿措施、优化晶振的物理环境等方式来提高晶振的频率稳定性。总之,晶振包地处理需要考虑信号完整性、接地处理、屏蔽处理和频率稳定性等方面。通过合理的处理方式,可以有效地减小外部干扰对晶振的影响,保证整个电路的正常运行。

3225晶振引脚定义

为2个引脚,一个是输入脚(IN),一个是输出脚(OUT)。这两个引脚的作用是将外界的电信号输入到晶振中,让晶体振荡并输出稳定的频率信号。IN脚连接到外部源,OUT脚连接到电路中的负载。通常3225晶振用于微控制器、手机、电子表等设备中,用于提供精准的时钟信号。另外,3225晶振还有一个电源引脚(VDD),用于提供输入信号的电源。在使用过程中需要注意引脚的正确连接,以保证晶振的正常工作。

epm1270外接几个晶振

正常只用一个晶振就足够了,内部可分频;最多可以用GCLK0~GCLK3共四个外部时钟入口,你也可以接四个!!呵呵

如何区别恒温晶振与温补晶振

恒温晶振和温补晶振都是有源晶振,需要供电,区分这二者可以从三个方面入手,分别是:

价格:相对而言恒温晶振的价格高于温补晶振。

体积:相对而言恒温晶振的体积要大于温补晶振。

预热时间:相对而言,恒温晶振的预热时间要比温补晶振要长。

所以,从价格、体积、预热时间等三个方面可以区分这两种晶振。这是由其区别决定的,熟悉了二者区别,自然就容易区分了。

温补晶振和恒温晶振的定义

温补晶振,其英文简称为TCXO,在其内部有温度补偿电路,可以最大限度的减少由环境温度变化所带来的震荡频率的变化。价格比一般的有源晶振要贵。

恒温晶振,其英文简称为OCXO,在其内部有一个恒温槽,不管外界环境温度如何变化,其内部温度始终保持在一定的温度范围内,从而保证了震荡频率的稳定性,价格比温补晶振要贵。

温补晶振和恒温晶振的工作原理

温补晶振的工作频率会随着温度的变化而变化,为了减小这种变化,内部的谐振电容会随着温度的变化而产生变化,从而抵消晶振的变化,提高频率输出的稳定性。

恒温晶振为了克服环境温度对工作频率的影响,在内部设计了一个恒温槽,不管外部温度怎样,内部的温度基本保持不变,从而大大提高了稳定性。

温补晶振和恒温晶振的使用场合

由于这两种晶振价格比较贵,所以一般用在高精度的设备中,如比较高端的测量设备、测量仪器等,甚至GPS定位设备、军方应用中。

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内部晶振误差是2***跟外部晶体比谁的精度高

晶振指的是芯片内部振荡器,那个一般是内部RC(电容电阻)振荡,这个振荡周期会随电压,温度,湿度等一些因素改变(有的比较大);外置晶振一般比内部RC振荡精度高并且随电压,温度湿度等变化比较小;优缺点:外部晶振稳定,内部晶振的误差比

无源晶振怎么用

通过石英的压电效应进行工作。工作原理为:在石英水晶片的两边镀上电极,通过在两电极上加一定的电压,因为石英有压电效应,电压形成了,自然就会产生形变,从而给IC提供一个正弦波形。通过IC的内部整形和PLL电路后产生方波,然后输入给下级电路。无源晶振就是一个晶体,必须要结合外围电路构成一个振荡器才能输出特定频率的信号,而这个振荡器是需要提供电源的。像MCU可以用无源晶振是因为其内部集成有构成振荡器的电路,晶体不好集成就只好外加。扩展资料:无源晶振工作的注意事项:

1、晶振的选型选择合适的晶振对单片机来说非常重要,我们在选择晶振的时候至少必须考虑谐振频点、负载电容、激励功率、温度特性长期稳定性等参数。合适的晶振才能确保单片机能够正常工作。

2、电容引起的晶振不稳定晶振电路中的电容C1和C2两个电容对晶振的稳定性有很大影响,每一种晶振都有各自的特性,所以我们必须按晶振生产商所提供的数值选择外部元器件。通常在许可范围内,C1,C2值越低越好,C值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增加起振时间。

3、单片机晶振被过分驱动引起的问题晶振被过分驱动会渐渐损耗晶振的接触电镀从而引起晶振频率的上升。我们可用一台示波器来检测,OSC,输出脚,如果检测一非常清晰的正弦波且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要,则晶振未被过分驱动。

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