stm32f107晶振(stm32f103vc晶振电路原理)
本文目录
stm32死机的原因有哪些
Stm32出现死机，程序跑飞这类的问题，我之前在开发过程中就遇到过，造成这种不良，有很多可能的原因，软件硬件都有可能，需要从几个方面去排查
硬件方面：
1stm32的供电电压是否稳定，是否在正常工作电压范围内。电源文波大小一定要小，一般Ldo供电在3.3v在几个ma，在stm32的vdda和vssa引脚一定要接磁珠，各个电源硬件要接滤波电容
2晶振以及旁路电容，一定要尽可能的靠近单片机，整个电路中是否有裸露的接口如usbio口这类的接口，因为冬天人体或者其他物体静电很大，当瞬间大静电通过接触，传导给单片机时，很容易引起单片机复位或者死机，所以有这样的接口需要做防静电电路，或者专用防静电芯片在保护单片机不死机。
3单片机复位电路，一定在设计的时候需要加旁路电容，同时需要保证复位电路电源稳定，这个与第一点原因说明一样。
4无线射频信号，当电路中有无线类如蓝牙wifigsm等无线射频信号时，也很容易因为无线辐射干扰造成单片机死机，这个就需要找专业测试天线的公司或者设备或者人员去测试辐射状态。无线射频的电线一定要匹配好，否则很容易会有无法预测的不良状态出现。
硬件是软件运行的载体，需要在设计时候就考虑好，增加抗干扰因素，
硬件可以通过静电台空气放电一万伏，接触式采用八千伏，使用一定数量的机器，一定次数的测试，如果不出现死机情况，就说明硬件基本没有问题。
软件方面
1考虑堆栈，编译器默认启动文件中，有堆栈设置的代码，一般官方默认的堆栈设置的比较小，当你的项目代码量大的时候，需要调整这个文件里面堆栈大小
2检查代码，是否有不合理死循环，检查是否有定义的数组溢出，造成程序跑飞
3是否有使用内部flash存储，当不合理的flash内存操作时，也会造成死机.经过批量试产，机器死机问题得到解决.
4不合理的中断，当有多个中断处理时候，一定要设置清晰各个中断不同的中断优先级，不合理的中断设置，也有可能造成死机情况的出现。
5定义的数组不合理，在使用的过程中出现溢出，结果程序就在使用不可知的某一个flash位置的数据进行处理，所以这点也很重要。
以上是我根据自身项目经验，对stm32死机问题的分析与处理。
想了解更多电子元器件，电子开发设计，嵌入式编程，研发相关管理知识或者观点，请记得加【关注】
欢迎您转发，谢谢您
stm32系统时钟的配置
上面所给的程序是使用内部晶振的，而通常开发板都会使用外部晶振通过倍频使用。内部晶振最高只能倍频到64MHz,而使用外部晶振能够倍频到72MHz。如果板子上确实有外部晶振，请使用外部晶振！使用外部晶振配置实例如下：使用HSE时钟，程序设置时钟参数流程：
1、将RCC寄存器重新设置为默认值RCC_DeInit;
2、打开外部高速时钟晶振HSERCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON);
3、等待外部高速时钟晶振工作HSEStartUpStatus=RCC_WaitForHSEStartUp();
4、设置AHB时钟RCC_HCLKConfig;
5、设置高速AHB时钟RCC_PCLK2Config;
6、设置低速速AHB时钟RCC_PCLK1Config;
7、设置PLLRCC_PLLConfig;
8、打开PLLRCC_PLLCmd(ENABLE);
9、等待PLL工作while(RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY)==RESET)
10、设置系统时钟RCC_SYSCLKConfig;
11、判断是否PLL是系统时钟while(RCC_GetSYSCLKSource()!=0x08)12、打开要使用的外设时钟RCC_APB2PeriphClockCmd()/RCC_APB1PeriphClockCmd()
stm32f103vc晶振电路原理
晶振在电气上可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络,电工学上这个网络有两个谐振点,以频率的高低分其中较低的频率为串联谐振,较高的频率为并联谐振。
由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近,在这个极窄的频率范围内,晶振等效为一个电感,所以只要晶振的两端并联上合适的.
stm32晶振电路中电阻作用
1、配合IC内部电路组成负反馈、移相,使放大器工作在线性区
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。这个电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区,以获得增益,在饱和区是没有增益的,而没有增益是无法振荡的.如果用芯片中的反相器来作振荡,必须外接这个电阻,对于CMOS而言可以是1M以上,对于TTL则比较复杂,视不同类型(S,LS...)而定.如果是芯片指定的晶振引脚,如在某些微处理器中,常常可以不加,因为芯片内部已经制作了。
2、晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动；
晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drivelevel调整用。用来调整drivelevel和发振余裕度。
3、并联降低谐振阻抗,使谐振器易启动；
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,并联降低谐振阻抗,使谐振器易启动；
电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。
stm32最高时钟
stm32F1系类最大72Mhz你可以超频用但是不一定能稳定可靠工作比方说你用8M晶振配置按照72M主频算，直接换成10M晶振主频自然就是90MFlashLeancy设到最大应该可以比72Mhz高一些，另外APB1分频要小于等于36MHz，要用usb的话必须是48或72
