晶振电路 电阻(晶振的电阻值是多少欧姆)
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电容两端的电阻是多少
单片机供电电压是3.3V，在其数字(DGND)和数字电源(VDD)间并接了一个10uF/16v的电解电容和一个104普通电容，104电容两端的电压应该为多大呀，两端电阻呢，我现在测量其两端电压、电阻都是0，对吗？
另4.19MHZ的温补晶振，其电源脚与电路板电源(VCC)间接了一个40.2k的电阻，板子电源与地间接了一个104电容，电阻焊道板子上后测得其两端电阻为25k
晶振的电阻值是多少欧姆
并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻，它为内部的反相器提供直流偏置电压，选值一般为1M欧姆，这没问题。但是，可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻，如果已经包含了，则外部就不要再加了。
另外，晶振的负载电容及layout设计需要做好检查，确保没有问题。
最后，常规的检查无效之后，可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。
Rd的选值：1/(2*
pi*f0*
C2)，f0为晶振频率。晶振电路中容阻该如何匹配
大多数电子工程师都见过单片机中如下图所示的形式，一般单片机都会有这样的电路。晶振的两个引脚与芯片（如单片机）内部的反相器相连接，再结合外部的匹配电容CL1、CL2、R1、R2，组成一个皮尔斯振荡器（Pierceoscillator）
上图中，U1为增益很大的反相放大器，CL1、CL2为匹配电容，是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点。以接地点即分压点为参考点，输入和输出是反相的，但从并联谐振回路即石英晶体两端来看，形成一个正反馈以保证电路持续振荡，它们会稍微影响振荡频率，主要用与微调频率和波形，并影响幅度。X1是晶体，相当于三点式里面的电感
R1是反馈电阻（一般≥1MΩ），它使反相器在振荡初始时处于线性工作区，R2与匹配电容组成网络，提供180度相移，同时起到限制振荡幅度，防止反向器输出对晶振过驱动将其损坏。
这里涉及到晶振的一个非常重要的参数，即负载电容CL（Loadcapacitance），它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。
负载电容的公式如下所示：
其中，CS为晶体两个管脚间的寄生电容（ShuntCapacitance）
CD表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2
CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1
一般CS为1pF左右，CI与CO一般为几个皮法，具体可参考芯片或晶振的数据手册
（这里假设CS=0.8pF，CI=CO=5pF，CPCB=4pF）。
比如规格书上的负载电容值为18pF，则有
则CD=CG=34.4pF，计算出来的匹配电容值CL1=CL2=25pF
晶振温漂指标是多少
晶振的温漂指标是一个重要的性能参数，它表示晶振频率随温度变化的漂移量。根据不同的晶振类型和应用场景，温漂指标的范围也会有所不同。一般来说，普通的晶振温漂在±10-30ppm/℃左右，而一些高精度、高稳定的晶振则可以将温漂指标控制在±0.5-2ppm/℃以内。因此，在选择晶振时，需要根据具体的应用场景和需求来选择合适的温漂指标。同时，为了减小晶振温漂的影响，还可以采用一些补偿技术，如温度补偿电路、数字补偿技术等。
晶振的等效串联电阻大好吗
晶振的等效串联电阻不好也不坏，它是晶体振荡器电路中的一个重要参数，用于描述晶振的电阻特性。晶振的等效串联电阻越小，表示其振荡效率越高，能够提供更为稳定的频率输出；反之，如果等效串联电阻较大，则会对振荡器的稳定性产生不良影响。因此，晶振的等效串联电阻大小需要根据具体应用场合的需求进行选择，以保证晶振的稳定性和精度。
晶振的符号
晶振在电路板上用X表示。
晶振一般指晶体振荡器。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
