晶振电容 选择(晶振电容大小选取规则)
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25m晶振要接多大电容
25MHz晶振的接法需要根据实际情况来确定所需的电容大小。一般情况下，可以选择10-22pF的贴片电容或插件电容进行连接。具体的选择应根据晶振的品牌、型号、频率稳定度以及电路板的布局等因素来进行，同时还要考虑到实际应用的环境和要求。
在确定电容大小时，需要注意电容的频率响应特性和阻抗匹配问题，以确保晶振的稳定性和可靠性。
晶振旁边两电容电压一样吗
晶振旁边两个电容的电压通常是一样的。这是因为这两个电容的取值都是相同的，或者相差不大。如果两个电容的电压相差太大，容易造成谐振的不平衡，从而导致停振或者不起振。
值得注意的是，晶振通常需要与负载电容配合才能正常工作。这些电容不仅仅是为了滤波，而是为了构成振荡器起振的一部分。在无源晶振电路中，通常还会有两个电容，这两个电容一般被称为“匹配电容”或者“谐振电容”，以满足谐振条件让晶振起振并正常工作。
因此，在设计和使用晶振电路时，除了考虑电容的电压外，还需要确保电容的类型和值都符合设计要求，以避免可能出现的问题。
晶振电容大小选取规则
负载电容的大小不是固定的，需要晶振的规格要求而定，晶振的规格书都标有负载电容的要求，一定要看清楚规格书，选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF，晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了
选择负载电容的要注意事项：
选择NPO/G0G材质，温度和高频特性更好
公差当然是尽量选择小的，最好选择2%或者1%的。
晶振电容位置
电容应尽量靠近晶振引脚（频率输入脚与频率输出脚）设计。
晶振核心部件为石英晶体，容易受外力撞击或跌落影响而破碎。在PCB布线时最好不要把晶振设计在PCB边缘，尽量使其靠近芯片。
晶振走线需要用GND保护稳妥，远离敏感信号源，如RF及高速信号，以免频率信号受到干扰。
晶振位置远离热力源，高温会造成晶振频率偏差，因为石英晶体具有“温漂”物理特性。
20pf 10ppm晶振应外接多大电容
根据晶振的特性和外部电路的需要，选择合适的电容可以提高晶振的稳定性和抗干扰能力。对于20pf的晶振，建议外接两个10pf的电容，以保证电容的总值与晶振的额定值相等。同时，考虑到10ppm的精度要求，建议选择稳定性较好的C0G或NP0型电容，并进行合理的布局和设计，以减少干扰和误差的影响。
在实际应用中，还需要根据具体的电路要求和环境条件进行优化和调试，以达到最佳的性能和可靠性。
晶振如何匹配电容
晶振与电容的匹配是为了获得最佳的工作性能和稳定性。晶振的频率与所选用的电容有关，而不同频率的晶振需要不同的电容值。因此，在选择电容时，应根据晶振的频率和规格选择合适的电容值和容差，以确保匹配最佳。此外，在设计和制造阶段要考虑外部环境和电路的影响，以调整电容的容差和位置等参数，实现晶振与电容的最佳匹配。
