晶振负载电容(7PF的时钟晶振选择多大的负载电容)
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有源晶振输出端接电容电阻的目的
有源晶振输出端接电容和电阻的目的是为了稳定和调整晶振的工作频率。具体作用如下：
1.稳定性：电容和电阻组成了一个低通滤波器，起到滤除高频噪声的作用。通过减少噪声干扰，可以提高晶振的稳定性，避免频率漂移和抖动。
2.加载能力：当晶振需要驱动较大的负载电容时，通过增加引入电容和电阻，可以提高晶振的加载能力，保证信号输出的稳定性。
3.频率调整：通过改变电容或电阻的数值，可以微调晶振的频率。增加电容会使晶振频率减小，减小电容会使晶振频率增加。在某些应用中，需要微调晶振频率以满足特定的要求，这时候可以通过调整电容或电阻来实现。
因此，连接电容和电阻到有源晶振的输出端可以提高晶振的稳定性、加载能力，并且可用于调整晶振频率。
晶振电容大小选取规则
负载电容的大小不是固定的，需要晶振的规格要求而定，晶振的规格书都标有负载电容的要求，一定要看清楚规格书，选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF，晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了
选择负载电容的要注意事项：
选择NPO/G0G材质，温度和高频特性更好
公差当然是尽量选择小的，最好选择2%或者1%的。
7PF的时钟晶振选择多大的负载电容
选择时钟晶振的负载电容需要考虑多个因素。一般来说，负载电容的大小会影响晶振的频率稳定性和启动时间。对于7PF的时钟晶振，建议选择一个合适的负载电容，通常在10-30PF之间。具体的选择取决于晶振的制造商提供的规格和推荐值。同时，还需要考虑电路板的布局和环境条件等因素，以确保晶振的性能和可靠性。最好参考晶振的数据手册或咨询相关专业人士，以获得准确的建议。
8m晶振配多大的电容
在选择晶振外围元器件时，需要考虑晶振型号、频率、电容等因素。通常，晶振带有一个额定的负载电容范围，一般为其频率的20%~40%。比如，如果您的8MHz晶振额定的负载电容为20pF，那么您可以选择两个10pF或一个22pF的电容进行匹配。不同晶振型号和使用场景可能需要不同的电容值，因此最好查看晶振的手册或联系厂商以获取最准确的外围元器件参数。
晶振电路中容阻该如何匹配
大多数电子工程师都见过单片机中如下图所示的形式，一般单片机都会有这样的电路。晶振的两个引脚与芯片（如单片机）内部的反相器相连接，再结合外部的匹配电容CL1、CL2、R1、R2，组成一个皮尔斯振荡器（Pierceoscillator）
上图中，U1为增益很大的反相放大器，CL1、CL2为匹配电容，是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点。以接地点即分压点为参考点，输入和输出是反相的，但从并联谐振回路即石英晶体两端来看，形成一个正反馈以保证电路持续振荡，它们会稍微影响振荡频率，主要用与微调频率和波形，并影响幅度。X1是晶体，相当于三点式里面的电感
R1是反馈电阻（一般≥1MΩ），它使反相器在振荡初始时处于线性工作区，R2与匹配电容组成网络，提供180度相移，同时起到限制振荡幅度，防止反向器输出对晶振过驱动将其损坏。
这里涉及到晶振的一个非常重要的参数，即负载电容CL（Loadcapacitance），它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。
负载电容的公式如下所示：
其中，CS为晶体两个管脚间的寄生电容（ShuntCapacitance）
CD表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2
CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1
一般CS为1pF左右，CI与CO一般为几个皮法，具体可参考芯片或晶振的数据手册
（这里假设CS=0.8pF，CI=CO=5pF，CPCB=4pF）。
比如规格书上的负载电容值为18pF，则有
则CD=CG=34.4pF，计算出来的匹配电容值CL1=CL2=25pF
7PF的晶振选择多大的负载电容
选择晶振的负载电容时，需要考虑晶振的频率和负载电容的大小。一般来说，晶振的频率越高，负载电容的值就应该越小。对于7PF的晶振，常见的负载电容范围是10-30PF。具体的选择需要根据实际应用情况和晶振厂商的推荐来确定，以确保晶振的稳定性和可靠性。
