晶振的电容(晶振旁边两电容电压一样吗)
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晶振旁边两电容电压一样吗
晶振旁边两个电容的电压通常是一样的。这是因为这两个电容的取值都是相同的，或者相差不大。如果两个电容的电压相差太大，容易造成谐振的不平衡，从而导致停振或者不起振。
值得注意的是，晶振通常需要与负载电容配合才能正常工作。这些电容不仅仅是为了滤波，而是为了构成振荡器起振的一部分。在无源晶振电路中，通常还会有两个电容，这两个电容一般被称为“匹配电容”或者“谐振电容”，以满足谐振条件让晶振起振并正常工作。
因此，在设计和使用晶振电路时，除了考虑电容的电压外，还需要确保电容的类型和值都符合设计要求，以避免可能出现的问题。
单片机晶振的电容是什么类型的电容
单片机晶振的电容是瓷片电容。瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。
晶振中的负载电容起什么作用
1、晶振的负载电容主要作用的抗干扰的功能2、晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。
晶振电容位置
电容应尽量靠近晶振引脚（频率输入脚与频率输出脚）设计。
晶振核心部件为石英晶体，容易受外力撞击或跌落影响而破碎。在PCB布线时最好不要把晶振设计在PCB边缘，尽量使其靠近芯片。
晶振走线需要用GND保护稳妥，远离敏感信号源，如RF及高速信号，以免频率信号受到干扰。
晶振位置远离热力源，高温会造成晶振频率偏差，因为石英晶体具有“温漂”物理特性。
晶振电路中如何选择电容C1C2
晶振旁边两个小电容是负载电容
在使用外部晶振作为芯片的系钟时，晶振需要串联两个负载小容。另小瞧这两个小电容哦，没有它们，晶振就没法工作了。
晶振旁边的负载电容有什么作用？芯片晶振引脚的内部通常是一个反相器，芯片晶振的两个引脚之间还需要连接一个电阻，使反相器在振荡初始时处与线性状态，但这个电阻一般集成在芯片的内部，反相器就好像一个有很大增益的放大器，为了方便起振，晶振连接在芯片晶振引脚的输入和输出之间，等效为一个并联谐振回路，振荡的频率就是石英晶振的并联谐振频率。晶振旁边的两个电容需要接地,，其实就是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点，以分压点为参考点，振荡引脚的输入和输出是反相的，但从晶振两端来看，形成一个正反馈来保证电路能够持续振荡。芯片设计的时候，其实这两个电容就已经形成了，一般是两个的容量相等，但容量比较小，不一定适合很宽的振荡频率范围，所以需要外接两个负载电容。晶振旁边的负载电容怎么选择？负载电容需要根据晶振的规格来选择，晶振的规格书都会标示出负载电容的大小，一般都是几pF到几十pF。假如晶振规格要求用20pF的负载电容，因为两个负载电容是串联的，理论上需要选择两个40pF的负载电容。实际上MCU内部和PCB的线路上都会有一定的寄生电容，晶振的负载电容=[(C1*C2)/(C1+C2)]+Cic+△C，Cic+△C为MCU内部电容和PCB线路的寄生电容，一般是3~5pF，所以，在实际应用中会考虑用30pF~36pF的负载电容。晶振和负载电容布线注意事项为了让晶振能够可靠、稳定的起振，我们在布线时，需要让晶振和负载电容尽量的靠近芯片的晶振引脚。
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晶振旁边接的是负载电容，可以帮助起振、微调频率，使晶振工作在其标称频率附近。晶振的负载电容值CL=C+CS，CL为规格书中晶振的负载电容值，C为电路中外接的电容值(一般由两颗电容通过串并联关系得到)，CS为电路的分布电容,这和电路的设计,元器件分布等因素有关，值不确定,一般为3到5PF。
