电容晶振带(电容和晶振的区别)
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晶振并联接法
晶振电路形式很多，有的不用电容，有的并联一个电容，有的并联一对串联的电容，都是根据电路需要设计的，有的是晶体指定的负载电容，有时是为了形成一定的反馈系数维持振荡。晶振频率基本上由晶体特性决定，外部电容仅仅有一点“微调”效果，最大调节范围不会超过千分之一，因此电容不能决定振荡频率。
晶振电容大小选取规则
负载电容的大小不是固定的，需要晶振的规格要求而定，晶振的规格书都标有负载电容的要求，一定要看清楚规格书，选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF，晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了
选择负载电容的要注意事项：
选择NPO/G0G材质，温度和高频特性更好
公差当然是尽量选择小的，最好选择2%或者1%的。
什么叫外部晶振
外部电路上的电容会把电路的振荡频率拉低一些。在设计石英晶体振荡电路时，也应令电路上的杂散电容与外加电容合计値与晶体厂商使用的负载电容值相同。
外部晶振：由C0、C1与L1构成的并联共振。
外部晶振：频率在30MHz以下的石英晶体。
电容和晶振的区别
电容是指在给定电位差下的电荷储藏量。
晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。
电容亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。
晶振是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。
晶振如何匹配电容
晶振与电容的匹配是为了获得最佳的工作性能和稳定性。晶振的频率与所选用的电容有关，而不同频率的晶振需要不同的电容值。因此，在选择电容时，应根据晶振的频率和规格选择合适的电容值和容差，以确保匹配最佳。此外，在设计和制造阶段要考虑外部环境和电路的影响，以调整电容的容差和位置等参数，实现晶振与电容的最佳匹配。
芯片 晶振是多少
1.芯片晶振的频率是固定的。2.晶振的频率是由芯片设计者根据芯片的需求和性能要求决定的。晶振的频率决定了芯片的工作速度和稳定性。3.芯片晶振的频率通常是以赫兹（Hz）为单位表示，常见的晶振频率有8MHz、16MHz等。不同的芯片可能有不同的晶振频率，根据具体的应用需求来选择合适的晶振频率。
