晶振打值(晶振的功率)
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晶振起振时间原理
晶振的起振时间与外接电容值的大小存在一定关系，原理是外接电容越大，相对耗损的电流就越多，即作用于晶振本身的激励功率变小，晶振的起振时间就会增加。
举一个偏激的例子，若晶振外接电容应为20PF，我们却采用电容300PF，晶振可能就根本无法起振了，更不用提及晶振的起振时间长短的问题。
电表晶振测量好坏
1、先打开万用表，把万用表旋钮箭头旋到直流电压20档位，红表笔插到电压孔，黑表笔插到接地孔。
晶振怎么测量好坏_如何使用万用表判断晶振的好坏
2、然后准备好待测试的板子，找到晶振的位置，并找到晶振使用的两个脚，我用黑线标好的。
3、测试点1：把黑表笔接地，红表笔接到晶振的一个引脚上，测得电压为2.02伏。
4.测试点2：把黑表笔接地，红表笔接到晶振的另一个引脚上，测得电压为2.18伏。
5.分析：由于单片机供电是5伏，所以测试电压正常应当是2伏多点，但这两个电压不应当相等或差0.01－0.04伏，现在测试的是好晶振，相差电压是0.16伏。
6.如果是坏晶振就有三种结果，1.其中一个脚或两个脚电压为0伏左右，2.其中一个脚或两个脚电压为5.0伏左右，3.两个脚电压为2.0伏左右，但两脚相差很小。
7.如果出现上面三种结果的任一种都说明晶振坏了。
晶振的电阻值是多少欧姆
并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻，它为内部的反相器提供直流偏置电压，选值一般为1M欧姆，这没问题。但是，可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻，如果已经包含了，则外部就不要再加了。
另外，晶振的负载电容及layout设计需要做好检查，确保没有问题。
最后，常规的检查无效之后，可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。
Rd的选值：1/(2*
pi*f0*
C2)，f0为晶振频率。晶振多大电阻阻值为正常
答:
晶振多大电阻阻值1M政姆为正常。
并联的1M欧姆的电阻被称作反馈电阻，它为内部的反相器提供直流偏置电压，选值一般为1M欧姆，这没问题。但是，可以查一下单片机内部是否已经包含了这颗电阻，如果已经包含了，则外部就不要再加了。
另外，晶振的负载电容及layout设计需要做好检查，确保没有问题。
最后，常规的检查无效之后，可以配置阻尼电阻Rd来抑制晶振的寄生振荡。
Rd的选值：1/(2*pi*f0*C2)，f0为晶振频率。
晶振的功率
晶振激励功率设计参数为10μW，最大值为100μW。
切不可只为了改变晶振的输出频率，任意改变电路输入给晶振的功率的大小。激励功率太小或太大，都会影响到晶振的的正常使用。负性阻抗太小，会直接影响晶振是否起振，负性阻抗太大则会造成晶振跳频或损坏。
晶振频率公差
频率公差：是与常温(25℃)下公称频率之间的偏差，按百万分率（x10-6）表达。
一只标称值10MHz、误差±20ppm、温度范围-20℃～+70℃的晶振,它的含义是在给定的温度范围内,这只晶振的频率误差范围是：±（10MHz×20ppm）=±200Hz.也就是晶振的频率将在9.9998MHz至10.0002MHz之间.这里,ppm代表百万分之一,即1/1000000。
这里的误差±20ppm是一个相对误差。在这里，相对误差=（绝对误差量/标称量）×ppm。而上面计算出来的±200Hz，就是绝对误差。相对误差是没有单位的，绝对误差是有工程单位的（这里的单位是Hz）。
